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本发明公开了一种SiCMOSFET功率循环测试电路及其控制方法,所提测试电路包括旁路开关AS,负载电流源Iload,被测器件Q1_1~Qm_n,支路二极管D1~Dm,驱动电阻R1_1~Rm_n,开关S1_1~Sm_n和IS1_1~ISm_n,小电流源I1_1~Im_n。所提控制方法采用轮巡结温测量方法,每个功率循环测试周期对支路上一个器件的结温和阈值电压进行监测,解决了串联支路上各个器件由于测量结温顺序的差异导致测量结果误差的问题。本发明所提电路结构可以实现在SiCMOSFET功率循环测试中对被测器件阈值电压和温度的在线监测,所提阈值电压测量方法无需增加额外电流源,实现简单。所提控制方法可以实现串联支路上各个被测器件极限温度(最高结温和最低结温)的精确测量。