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硅基混成多量子阱结构.pdf

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本实用新型公开了一种硅基混成多量子阱结构,包括依次设置于衬底上的缓冲层和至少一个组合层;所述组合层包括势垒层和BGaAsBi材料的势阱层,所述势阱层的材料组分满足:BxGa1?xAs1?yBiy,x≥5%,y≥5%。所述势阱层相对于所述势垒层靠近所述缓冲层。本实用新型在保证硅基发光的前提下,能够极大地缓解晶格失配,以及能够克服热失配和极性失配;从而提高了半导体材料的质量,能够应用并有助于高速微电子器件的质量提升。