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InGaN基LED量子阱结构探究的开题报告
一、选题理由
随着科学技术和人类文明的不断发展，光电技术的重要性日益凸显。发光二极管（LED）由于其高效、低能耗、长寿命的特点成为最具有应用前景的光电器件之一。其中，InGaN基LED量子阱结构因其较高的能带偏移和低的失谐度，能够实现更高效的光发射和更低的能量消耗，是近年来研究较为热门的主题之一。
二、研究目的
本文旨在探寻InGaN基LED量子阱结构中的物理机制及其有关的材料特性，并探究相关的优化方法，使其在光电领域的应用变得更加广泛和深入。
三、研究方法
1.文献调研：对InGaN基LED量子阱结构的相关文献进行收集、整理和分析，掌握其理论基础和实验方法。
2.实验测试：拟进行半导体器件制备与性能测试，对其中的InGaN量子阱结构实现电化学沉积、溅射、分子束外延等制备方法，并通过光谱测量、电学测量等方法对器件的性能进行测试。
四、主要研究内容
1.InGaN基LED的理论分析
通过对InGaN基LED内部的物理机制和磷化镓材料性质的分析，探究外加电压下电子与空穴的复合过程，分析其导电与失控的微观机制。
2.InGaN量子阱结构的制备与优化
通过对不同制备方法的比较与分析，建立较为理想的InGaN量子阱组合结构，分析其在理想条件下的特性。
3.InGaN基LED的性能测试
通过对制备的InGaN基LED的电学、光学特性进行测试与比较，并与市场上已有的LED产品进行比较，分析其优势与不足。
五、预期成果
通过对InGaN基LED量子阱结构和相关材料的探究及相关测试，将有望得到对InGaN基LED量子阱结构内部的微观机制及其性能等的深入理解和探讨，为今后的科学研究和工程应用提供理论依据和实验基础。
六、论文结构
1.导言
2.InGaN基LED的理论分析
3.InGaN量子阱结构的制备与优化
4.InGaN基LED的性能测试
5.结论
6.参考文献
七、进度安排
1.第一阶段：文献调研（两周）
2.第二阶段：制备InGaN量子阱结构（四周）
3.第三阶段：测试各种性能参数（两周）
4.第四阶段：数据分析、论文写作及答辩准备（六周）
八、参考文献
1.YangJ,NiuYB,ChenQ,etal.InGaN/GaNmultiplequantumwellswithanInGaNletterwellforUVLEDs[J].ChinesePhysicsB,2016,25(7):077804.
2.LiGM,LiYF,ZhangXQ,etal.AdvancedMaterialsforLEDsBasedonIII-Nitrides[J].JournalofSemiconductors,2011,32(3):030101.
3.WuJ,WalukiewiczW,YuKM,etal.UnusualpropertiesofthefundamentalbandgapofInN[J].AppliedPhysicsLetters,2002,80(25):4741-4743.