过光量检测电路、光接收元件和电子设备.pdf
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相关资料
过光量检测电路、光接收元件和电子设备.pdf
根据本公开的过光量检测电路(1)包括MOS晶体管和高阻抗元件(Ca)。MOS晶体管(Mn1)的源极连接到图像传感器的垂直信号线(VSL)。高阻抗元件(Ca)连接到MOS晶体管(Mn1)的漏极。过光量检测电路(1)基于由MOS晶体管(Mn1)的栅极电位定义的电位来检测垂直信号线(VSL)的电位波动,并且将在MOS晶体管(Mn1)的漏极和高阻抗元件(Ca)之间的接点的电位作为表示过光量检测结果的信号输出。
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本发明提供一种光接收元件,其结构简单,可灵敏度良好地检测入射光中规定的光。一种光接收元件(100),检测太阳光(SL)中的紫外线(UV),所述光接收元件(100)具有:N型的半导体基板(1);P型导电层(2),形成于半导体基板(1)的表面;N型的紫外线吸收层(3),形成于导电层(2)的表面,使太阳光(SL)中的可见光(VL)透过且吸收紫外线(UV)而激发电子;以及N型的检测层(4),形成于在导电层(2)的表面远离紫外线吸收层(3)的位置,检测从紫外线吸收层(3)流入的电子作为第一光电流I<base:Sub
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第四章光检测(jiǎncè)和光接收机234567891011121314151617181920212223APD的工作原理——雪崩(xuěbēng)倍增效应25262728PIN光电二极管的主要(zhǔyào)特性波长段内响应度或灵敏度要高具有足够的带宽和响应速度响应度是表示光检测器能量转换效率(xiàolǜ)的一个参数,是光检测器的平均输出电流与平均输入光功率之比。信号(xìnhào)输入式中h为普朗克常数,c为光速,波长λc单位为微米,禁带宽度Eg单位为电子伏特。APD有多种结构形式,图4-9是一