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一种提高R-T-B磁体扩散性能的晶界扩散方法.pdf
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小新****ou
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本发明公开了一种提高R?T?B磁体扩散性能的晶界扩散方法:在R?T?B磁体基体表面覆盖扩散源,所述扩散源为重稀土,扩散源的质量为磁体基体质量的0.2%～4%;将覆盖有扩散源的磁体进行晶界扩散处理,扩散温度在800℃～1000℃,扩散时间1h～48h,在扩散的前1～3h内,调节绝对真空度在1.0*10<base:Sup>?3</base:Sup>～4.6*10<base:Sup>?3</base:Sup>Pa之间的高真空;之后将绝对真空度调节为3.6kpa与7.6kpa之间的低真空,晶界扩散后,冷却至室温再
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