一种晶界扩散渗Dy制备高性能钕铁硼磁体的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108269685A(43)申请公布日2018.07.10(21)申请号201810010519.6(22)申请日2018.01.05(71)申请人宁波招宝磁业有限公司地址315200浙江省宁波市镇海区招宝山街道大通路355号(72)发明人贺琦军林建强(51)Int.Cl.H01F41/02(2006.01)H01F1/057(2006.01)C25D13/02(2006.01)权利要求书1页说明书5页(54)发明名称一种晶界扩散渗Dy制备高性能钕铁硼磁体的方法(57)摘要本发明公开了一种晶界扩散渗Dy制备高性能钕铁硼磁体的方法，包括如下步骤：烧坯合金在真空或氩气气氛中熔化成熔体，将熔体在1300～1600℃浇注到急冷辊上形成鳞片，急冷辊转速为20～60r/min；形成的鳞片经过HD制粉，气流磨制成粒度为2～10μm的粉末；制得的粉末在15KOe的磁场中取向成型，制成生坯，将生坯放入Ar气氛下的烧结炉中，在900～1300℃下烧结1～100h；烧结后的生坯在450～650℃温度下时效2～50h，得到烧坯；烧坯经硝酸酸洗、超声波水洗，柠檬酸活化后，在Dy2(OH)5NO3·H2O液中电泳4～20min；将电泳后的烧坯烘干，置入真空热处理炉内热处理，即得所需的磁体。CN108269685ACN108269685A权利要求书1/1页1.一种晶界扩散渗Dy制备高性能钕铁硼磁体的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)烧坯合金在真空或氩气气氛中熔化成熔体，将熔体在1300～1600℃浇注到急冷辊上形成鳞片，急冷辊转速为20～60r/min；2)步骤1)形成的鳞片经过HD制粉，气流磨，制成粒度为2～10μm的粉末；3)步骤2)制得的粉末在15KOe的磁场中取向成型，制成生坯，将生坯放入Ar气氛下的烧结炉中，在900～1300℃下烧结1～100h；4)将步骤3)烧结后的生坯在450～650℃温度下时效2～50h，得到烧坯；5)将步骤4)所得烧坯经硝酸酸洗、超声波水洗，柠檬酸活化后，在Dy2(OH)5NO3·H2O液中电泳4～20min，使电泳层均匀包覆在烧坯表面；6)将电泳后的烧坯烘干，置入真空热处理炉内热处理，即得所需的磁体。2.根据权利要求1所述的一种晶界扩散渗Dy制备高性能钕铁硼磁体的方法，其特征在于，步骤1)中所述浇注温度为1400～1500℃；所述急冷辊转速为30～50r/min。3.根据权利要求1所述的一种晶界扩散渗Dy制备高性能钕铁硼磁体的方法，其特征在于，步骤2)中所述粉末粒度为3～5μm。4.根据权利要求1所述的一种晶界扩散渗Dy制备高性能钕铁硼磁体的方法，其特征在于，步骤3)中所述烧结温度为1000～1100℃，烧结2～50h。5.根据权利要求1所述的一种晶界扩散渗Dy制备高性能钕铁硼磁体的方法，其特征在于，步骤4)中所述时效温度为450～500℃，时效4～20h，所述烧坯的通式为(NdaRE1-a)xFe100-x-y-zMyBz，Nd为钕元素，RE为Pr、Tb、Dy、Sc、Y、La、Ce、Sm、Eu、Gd、Ho、Er、Yb、Lu中的一种或几种；Fe为铁元素，M为Nb、V、Ti、Co、Cr、Mo、Mn、Ni、Ga、Zr、Ta、Ag、Au、Al、Pb、Cu、Si元素中的一种或几种，B为硼元素；a、x、y、z满足以下关系：0.9≤a≤1、12≤x≤16、0≤y≤1.5、5.5≤z≤6.5。6.根据权利要求1所述的一种晶界扩散渗Dy制备高性能钕铁硼磁体的方法，其特征在于，步骤5)中所述硝酸浓度为3％(质量分数)，酸洗时间为20～40s，超声波水洗时间为30～50s，所述柠檬酸浓度为5％(质量分数)，活化时间为4～7s。7.根据权利要求1所述的一种晶界扩散渗Dy制备高性能钕铁硼磁体的方法，其特征在于，所述热处理工艺为600～950℃温度处理4～10h，真空度控制在(3～5)×10-3Pa。2CN108269685A说明书1/5页一种晶界扩散渗Dy制备高性能钕铁硼磁体的方法技术领域[0001]本发明涉及稀土永磁材料技术领域，更具体地说，它涉及一种晶界扩散渗Dy制备高性能钕铁硼磁体的方法。背景技术[0002]烧结钕铁硼磁体自1983年发明以来因其优异的综合磁性能而得到广泛应用。近年来，随着科技与“低碳经济”的加速发展，烧结钕铁硼材料在风电、变频压缩机、混合动力等高端领域的推广速度和应用范围迅速扩大。这些领域要求钕铁硼磁体既具有较高的剩磁以提供足够大的磁储能，同时具有足够高的矫顽力以保证其在高温下的正常运行。目前烧结钕铁硼的矫顽力比较低，这限制了其应用领域的进一步扩大，因而制备高矫顽力的钕铁硼材料是该领域的主要研究方向之一。众所周知，Dy/Tb等重稀土元素取代