一种半导体外延结构及其制备方法、光电器件.pdf
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一种半导体外延结构及其制备方法、光电器件.pdf
本发明提供一种半导体外延结构及其制备方法、光电器件。所述半导体外延结构包括第一半导体层、有源层、抗静电层及第二半导体层。第一半导体层具有第一导电类型;有源层设于所述第一半导体层的一侧;抗静电层设于所述有源层背离所述第一半导体层的一侧,抗静电层包括AlN层及设于所述AlN层上的AlxInyGa1?x?yN(0≦x,y≦1)层;所述AlN层更靠近所述有源层设置;第二半导体层设于抗静电层背离所述有源层的一侧,所述第二导电层具有第二导电类型。上述半导体外延结构,抗静电层中的AlN层能够有效抑制有源层中电子溢流的同
一种半导体外延结构及其制备方法、半导体有源光电器件.pdf
本发明公开了一种半导体外延结构及其制备方法、半导体有源光电器件,包括由下至上依次分布的衬底、缓冲层、下包层、下波导层、有源区、上波导层、上包层、盖层以及接触层,下包层的上表面为上凸台结构,下波导层的下表面为下凸台结构,上凸台结构和下凸台结构互补,使上凸台结构和下凸台结构的轮廓重合;上凸台结构的上表面至上波导层上表面构成第一有源波导结构,下凸台结构的下表面至上波导层上表面构成第二有源波导结构,第一有源波导结构的光学限制因子大于第二有源波导结构的光学限制因子,第一有源波导结构的光模式体积小于第二有源波导结构的
一种光电器件外延结构的制备方法、外延结构及光电器件.pdf
本发明公开了一种光电器件外延结构的制备方法、外延结构及光电器件。所述制备方法包括:S1、在第一工艺参数下,对N型单晶衬底表面进行清洗和刻蚀,形成第一结构层;S2、在第二工艺参数下,对所述第一结构层进行三维生长,以形成粗糙度为1?10nm的第二结构层;S3、于所述第二结构层上生长量子阱有源层,使所述量子阱有源层的上表面形成第三结构层;S4、于所述量子阱有源层上生长P型半导体层,并使所述P型半导体层表面平整。本发明中提供的制备方法可在不牺牲晶体质量的前提下实现对量子阱有源层应力的释放,增加In组分的注入效率,
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本发明实施例公开了一种外延结构及其制备方法、半导体器件及其制备方法,该外延结构包括:衬底;半导体层,位于衬底一侧,半导体层远离衬底一侧的表面为金属极性面;氮极性面帽层,位于半导体层远离衬底的一侧。具有金属极性面的半导体层和氮极性面帽层形成复合极性外延结构,形成半导体器件时,具有强负电性的氮极性面帽层,在常温下即可与源极和漏极形成良好的欧姆接触,无需高温处理,能够降低工艺难度,半导体层可作为氮极性面帽层的湿法腐蚀自停止层,稳定阈值电压同时可提高跨导,从而提高器件性能。
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本申请实施例涉及一种外延结构的制备方法、外延结构、半导体器件的制备方法以及半导体器件,通过在衬底上外延生长缓冲层;在缓冲层上外延生长第一高阻半导体层;去除部分第一高阻半导体层,形成至少两个从第一高阻半导体层的上表面延伸至第一高阻半导体层内部的凹槽,至少两个凹槽包括第一凹槽和第二凹槽,其中,第一高阻半导体层位于第一凹槽和第二凹槽之间的部分未被去除而形成隔离侧墙;在第一高阻半导体层上外延生长低阻半导体层;在低阻半导体层的位于第一凹槽内的部分之上外延生长第一器件材料层,第一器件材料层与低阻半导体层采用不同的半导