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本发明提供一种氧化物薄膜晶体管阵列基板,包括:基板;第一金属层;第一绝缘层;有源层;第二金属层;第二绝缘层;第一ITO层;第四绝缘层,所述第四绝缘层在TFT上方的无效区还开设有凹槽区;所述第四绝缘层在TFT与TFT之间开设有隔断区;第三金属层,设于所述第四绝缘层上对应TFT的公共电极搭接区,并通过所述第二通孔和所述第一ITO层连接;第二ITO层。本发明还提供一种氧化物薄膜晶体管阵列基板的制备方法。在第四绝缘层中的无效区开设凹槽区与隔断区,降低了绝缘层大面积成膜的残余应力问题,可以有效提高器件的阈值电压均匀性和面板机械测试可靠性,从而提高阵列基本的稳定性。