一种氧化物薄膜晶体管阵列基板及制备方法.pdf
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一种氧化物薄膜晶体管阵列基板及制备方法.pdf
本发明提供一种氧化物薄膜晶体管阵列基板,包括:基板;第一金属层;第一绝缘层;有源层;第二金属层;第二绝缘层;第一ITO层;第四绝缘层,所述第四绝缘层在TFT上方的无效区还开设有凹槽区;所述第四绝缘层在TFT与TFT之间开设有隔断区;第三金属层,设于所述第四绝缘层上对应TFT的公共电极搭接区,并通过所述第二通孔和所述第一ITO层连接;第二ITO层。本发明还提供一种氧化物薄膜晶体管阵列基板的制备方法。在第四绝缘层中的无效区开设凹槽区与隔断区,降低了绝缘层大面积成膜的残余应力问题,可以有效提高器件的阈值电压均匀
一种低应力氧化物薄膜晶体管阵列基板及制备方法.pdf
本发明提供一种低应力氧化物薄膜晶体管阵列基板,包括:基板;第一金属层;第一绝缘层;有源层;第二金属层;第二绝缘层;第三绝缘层;第四绝缘层,设于所述第一ITO层上;所述第四绝缘层在TFT的公共电极搭接区还开设有第三通孔,从所述第三通孔露出所述第二金属层上表面;所述第四绝缘层在TFT上方的无效区还开设有凹槽区,并在TFT与TFT之间开设有隔断区;第二ITO层,设于所述第三通孔处,并通过所述第三通孔和所述第二金属层连接。本发明还提供一种低应力氧化物薄膜晶体管阵列基板的制备方法。在所述第四绝缘层中的无效区开设凹槽
薄膜晶体管阵列基板及其制备方法.pdf
本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法,方法包括:提供衬底基板,在衬底基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层、欧姆接触层、源/漏极及绝缘层;在绝缘层上涂布光阻层;对光阻层进行曝光,使光阻层图案化,在欲形成像素电极的对应位置暴露绝缘层,并且形成分布在暴露的绝缘层周缘的第一光阻区域及分布在第一光阻区域外围的第二光阻区域,第一光阻区域光阻层的厚度小于第二光阻区域光阻层的厚度;通过蚀刻制程移除暴露的绝缘层,形成过孔,暴露出漏极,第一光阻区域对应过孔上方边缘;对光阻层进行灰化处理,去除第一光阻区域,暴露出过孔
薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板.pdf
本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板,属于显示技术领域。本发明的薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极和多个绝缘层,其中至少一个绝缘层包括ⅤB族金属的氧化物。采用ⅤB族金属的氧化物形成绝缘层,由于ⅤB族金属的氧化物的介电常数较高,从而可降低绝缘层的厚度,有利于薄膜晶体管的小型化。
薄膜晶体管阵列基板及其制备方法.pdf
本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法,其包括:在衬底基板上制备形成数据线和源电极,所述源电极呈环状结构;在衬底基板上形成第一绝缘层;在所述第一绝缘层上刻蚀形成环状凹槽,所述源电极从所述环状凹槽暴露出;在所述环状凹槽中制备形成半导体有源层;在位于所述环状凹槽所环绕的区域刻蚀形成凹孔;在所述第一绝缘层上制备形成栅极线、栅电极和漏电极,所述栅电极形成在所述凹孔中,所述漏电极连接在半导体有源层上;在第一绝缘层上制备形成第二绝缘层,在第二绝缘层中刻蚀形成像素过孔;在第二绝缘层上制备形成像素电极,所述像素电极