数据擦除方法、存储器及存储器系统.pdf
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相关资料
数据擦除方法、存储器及存储器系统.pdf
本申请提供一种数据擦除方法、存储器及存储器系统,该数据擦除方法包括:对选定存储块进行N?1次擦除操作,其中,该N为预设次数,该N?1次擦除操作的擦除脉冲以预设擦除脉冲为基础,随着擦除次数增加而每次增加预设脉冲增量;根据预设验证脉冲、该预设脉冲增量、针对第N?1次擦除操作进行擦除验证的当前验证次数,确定目标验证脉冲,并以该目标验证脉冲进行针对第N?1次擦除操作的擦除验证;当该擦除验证成功时,根据当前验证次数、该预设脉冲增量和该第N?1次擦除操作的擦除脉冲,对该选定存储块进行第N次擦除操作,从而能保证擦除速度
存储器系统中的擦除管理.pdf
计算机处理器硬件接收存储在非易失性存储器系统中的存储单元的区域中的数据存储有无效数据的通知。响应于该通知,计算机处理器硬件将该区域标记为存储有无效数据。该计算机处理器硬件对与利用替换数据覆写存储单元中的无效数据相关联的擦除停留时间(即,一个或多个单元被设置成擦除状态的时间量)的数量进行控制。例如,要对相应的存储单元进行重新编程,数据管理器必须擦除存储单元,并且然后利用替换数据对存储单元进行编程。数据管理逻辑能够将擦除停留时间控制为小于时间门限值以提高非易失性存储器系统的寿命。
三维存储器件的擦除方法.pdf
一种三维存储器件擦除方法,包括:步骤1、接收擦除命令;步骤2、判定存储块是否被选中,是则执行步骤3,否则执行步骤4;步骤3、执行奇偶字线交替擦除,随后执行步骤5;步骤4、浮置未选中存储块的所有字线,随后结束;步骤5、验证存储块是否擦除成功,是则结束,否则执行步骤3。依照本发明的三维半导体存储器件擦除方法,使得奇数字线和偶数字线交替选通/浮置,横向电场抑制擦除空穴的移动,使得存储层中电子能够被完全擦除而没有空穴残留,避免了器件失效。
一种闪存存储器的擦除方法.pdf
本发明提供一种闪存存储器的擦除方法,包括:选取互不相邻的待擦除字线,在待擦除字线的栅极施加0V电压或负电压,并且将与待擦除字线相邻的字线的栅极浮空,对待擦除字线进行擦除操作;后续再选取剩余的字线中互不相连的字线作为待擦除字线,对剩余的字线进行擦除,至所有字线均擦除完成。由于擦除某一字线时,其相邻两侧的字线的栅极均浮空,此时产生的电场方向为衬底指向待擦除字线栅极方向的电场E以及与电场E方向垂直从浮空的栅极指向待擦除字线栅极方向的电场E’,由于E’的方向朝向待擦除字线栅极,因此可以抑制擦除空穴的横向移动,进而
存储器、存储器的编程方法及存储器系统.pdf
本公开实施例公开了一种存储器及系统、编程方法,方法包括:对目标态为第i态的选定存储单元施加第N脉冲;施加第N脉冲后,对选定存储单元执行第一子验证和第N次第二子验证,获得第一子结果和第N个第二子结果;第一子结果指示选定存储单元的阈值电压是否小于预设电压,第N个第二子结果指示选定存储单元的阈值电压是否小于第i态目标阈值电压;根据第N个第二子结果,确定目标态为第i态的存储单元中需施加第N+1脉冲的存储单元;第N+1脉冲与第N脉冲的差大于或等于目标阈值电压与预设电压的差;对需施加第N+1脉冲的存储单元施加第N+1