发光元件以及发光元件用胺化合物.pdf
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发光元件以及发光元件用胺化合物.pdf
公开了一种发光元件以及发光元件用胺化合物。一实施例的发光元件包括:第一电极;第二电极;以及至少一个功能层,布置在第一电极与第二电极之间,其中,通过在所述功能层包括由下述化学式1表示的胺化合物,可以显示出优异的发光效率和改善的寿命特性。[化学式1]<base:Imagehe=@624@wi=@518@file=@DDA0003210810110000011.JPG@imgContent=@drawing@imgFormat=@JPEG@orientation=@portrait@inline=@no@/>
发光元件以及包括该发光元件的发光装置.pdf
公开了一种可以降低功耗的发光元件以及包括该发光元件的发光装置。该发光元件包括通过从第一电极和第二电极分别提供的电子和空穴的复合而发光的有源层和控制所述有源层的发光的控制电极。因此,可省略通常连接至发光元件的晶体管,从而可防止由于晶体管而产生的功耗。
发光元件和用于其的胺化合物.pdf
提供了发光元件和用于其的胺化合物,该发光元件包括第一电极、第二电极以及第一电极和第二电极之间的至少一个功能层,并且该至少一个功能层可包括由下式1表示的胺化合物,从而表现出高发光效率和改善的使用寿命特性。[式1]<base:Imagehe=@483@wi=@483@file=@DDA0003299077740000011.JPG@imgContent=@drawing@imgFormat=@JPEG@orientation=@portrait@inline=@yes@/>
发光元件和发光元件用组合物.pdf
提供在发光效率优异的发光元件的制造中有用的组合物,以及提供含有该组合物的发光元件。一种发光元件,其具备阳极、阴极以及设置于阳极和阴极之间的包含发光元件用组合物的有机层,发光元件用组合物含有式(2)所示的金属络合物、以及具有在环内包含硼原子和选自氧原子、硫原子、硒原子、sp
制造发光元件的方法和发光元件.pdf
一种用于制造发光元件的方法涉及用于制造III-V族化合物半导体的发光元件的方法,所述III-V族化合物半导体具有包括In和N的量子阱结构,所述方法包括如下步骤:形成包括In和N的阱层(13a);形成势垒层(13b),所述势垒层(13b)具有的带隙比所述阱层(13a)的带隙宽;以及在形成所述阱层(13a)的步骤之后以及形成所述势垒层(13b)的步骤之前,供应包括N的气体并且中断外延生长。在中断外延生长的所述步骤中,供应具有的分解效率高于N2和NH3在900℃下分解为活性氮的分解效率的气体。另外,在中断外延生