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一种高纯银靶及其制备方法和用途.pdf
2023-05-24
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一条****丹淑
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本发明提供一种高纯银靶及其制备方法和用途,所述高纯银靶的纯度为4N5～5N,所述高纯银靶的微观组织为细小均匀晶粒,平均晶粒尺寸≤30μm;所述制备方法主要包括:(1)银锭经热锻后,进行第一再结晶退火,得到第一坯料;(2)所述第一坯料经静压变形处理后,进行轧制,得到第二坯料;(3)所述第二坯料经第二再结晶退火,得到所述高纯银靶。本发明所述高纯银靶无缺陷,在液晶显示器PVD镀膜后膜层厚度均匀,液晶显示器良品率大幅提升。
2023-05-24
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2023-05-13
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本发明涉及高纯低密度ITO靶材及其制备方法，其纯度大于等于99.99%，相对密度为55%~65%，平均晶粒尺寸≤50微米，该靶材的制备方法包括（1）提供ITO粉末，并将其液压成型为坯件；（2）将坯件置于炉中烧结，炉内真空度为10-4~10-3Pa，首先以50~300℃/h的升温速率升至800℃~900℃，保温4~24小时后，充入氧气，然后以100~400℃/h的升温速率升至900℃~1500℃，保温4~24小时后以20~100℃/h的降温速率降至常温，即得。本发明ITO靶材可以在高温条件下蒸发，而后沉积在
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