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一种锰碲掺杂锗量子点及其制备方法和应用.pdf
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一种锰碲掺杂锗量子点及其制备方法和应用.pdf
本发明属于量子点技术领域,提供了一种锰碲掺杂锗量子点及其制备方法和应用。本发明提供的锰碲掺杂锗量子点,相比Mn<base:Sub>x</base:Sub>Ge<base:Sub>1?x</base:Sub>量子点掺杂了碲,碲的掺杂减少了Mn沉淀析出相的含量,提高了离子相(Mn<base:Sup>2+</base:Sup>)的掺杂量,进而提高了所得锰碲掺杂锗量子点的居里温度和磁矩,进而使其能够更好地作为半导体材料应用于自旋场效应晶体管和储存器中。实施例表明,本发明的锰碲掺杂锗量子点的密度为300～625/μ
2023-05-24
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