一种晶圆片镀膜表面颗粒控制的方法.pdf
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一种晶圆片镀膜表面颗粒控制的方法.pdf
本发明公开了一种晶圆片镀膜表面颗粒控制的方法,包括以下步骤:步骤(1)、采用超声波水洗方式对硅片进行清洗;步骤(2)、采用表面颗粒扫描仪对硅片预镀制面进行扫描;步骤(3)、加料准备;步骤(4)、将硅片放置到镀膜机真空腔室内样品架上对基片进行抽真空;步骤(5)、抽真空至3.0*10?3Pa开始对两种材料进行预熔;步骤(6)、材料熔好后使用高能量氩离子对所述硅片待镀制面进行轰击;步骤(7)、在硅片朝下面镀制锗材料1310.98?1311nm,镀制硫化锌材料1167.47?1168nm;步骤(8)、镀制完膜层之
一种改善晶圆表面微颗粒残留的方法.pdf
本发明提供一种改善晶圆表面微颗粒残留的方法,包括:首先提供等离子反应刻蚀腔体和位于该等离子反应刻蚀腔体中的晶圆,晶圆上设有半导体结构,半导体结构处于第一层金属沟槽刻蚀完成的工序状态;然后在晶圆表面形成聚合物保护层;接着在等离子反应刻蚀腔体中通入等离子体源,去除晶圆表面电荷;最后停止通入所述等离子体源,静置晶圆。本发明通过在第一层金属沟槽刻蚀工艺对沟槽刻蚀结束后,在后续工艺处理过程中,使用沉积聚合物的气体源在晶圆表面形成一层保护层,在随后的去静电过程中使用大分子气体源辅助去静电工艺,将腔体中的细小颗粒吸附带
一种用于优化晶圆激光打标后表面颗粒控制的方法.pdf
本发明公开了一种用于优化晶圆激光打标后表面颗粒控制的方法。激光打标其原理是通过高能量的激光束聚焦在材料表面上,使表面材料瞬间熔融,甚至气化,形成凹坑,由凹坑组成指定的标识性图案。打标的副产物则会堆积在凹坑的四周,现有激光打标即使配备了颗粒清理装置,能实时吸走大部分打标时溅起的颗粒,但是仍不能避免有部分颗粒掉落在打标处。颗料控制是晶片加工过程、器件制造过程中重要的一个环节,打标后清洗是去除打标颗粒必不可少的步骤。本发明涉及打标机与打标后清洗的配合作业,最大限度的避免打标不稳定和清洗不稳定引起的打标颗粒残留问
一种晶圆表面吸收式IR镀膜工艺.pdf
本发明提出了一种晶圆表面吸收式IR镀膜工艺,通过本工艺得到的产品使得可见光区(400nm~700nm)呈高透,近红外区(780nm~1100nm)呈高度截止状态,在不同角度光入射时光透过偏移量小,有助于改进角度偏移难题,解决了传统镀膜制程产品容易出现的图像失真、识别速度慢等问题,比起传统镀膜工艺只能保证光在0°‑20°入射时光干扰小的窄角来讲,本工艺路线具有更优越的实用价值;晶圆表面经过电路及光路层结构加工后表面存在高度差,对旋涂要求较高,本发明工艺可较好的去除凹槽中的油墨残留,且光路层表面油墨分布较均匀
晶圆片激光切割方法及晶圆片加工方法.pdf
本发明提供了一种晶圆片激光切割方法,其包括如下步骤:提供一晶圆片,所述晶圆片具有正面及带有电极的背面,所述晶圆片的背面具有切割道;于所述晶圆片背面贴膜;将贴膜的晶圆片定位于一激光切割加工设备中,所述激光切割加工设备发出的激光由所述晶圆片的正面沿着所述晶圆片的同一切割道以不同切割深度进行至少二次切割。通过在晶圆片的同一个切割道内,不同的深度进行两次激光加工,大大改善了激光切割厚的晶圆片造成斜裂不良的问题,有效地避免了激光切割斜裂过大而造成的电极破坏。对传统的单次激光切割具有相当大的优势和良率。本发明还提供一