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本发明公开了一种晶圆片镀膜表面颗粒控制的方法,包括以下步骤:步骤(1)、采用超声波水洗方式对硅片进行清洗;步骤(2)、采用表面颗粒扫描仪对硅片预镀制面进行扫描;步骤(3)、加料准备;步骤(4)、将硅片放置到镀膜机真空腔室内样品架上对基片进行抽真空;步骤(5)、抽真空至3.0*10?3Pa开始对两种材料进行预熔;步骤(6)、材料熔好后使用高能量氩离子对所述硅片待镀制面进行轰击;步骤(7)、在硅片朝下面镀制锗材料1310.98?1311nm,镀制硫化锌材料1167.47?1168nm;步骤(8)、镀制完膜层之后,对滤光片进行退火。本发明通过石墨隔热垫环的使用减缓锗材料温度的流失,使锗材料温度保持在较高较稳定的状态,锗材料的喷溅明显减少,实现产品表面质量大幅改善。