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数据读写方法、阻变随机存储器及电子设备.pdf
2023-05-23
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猫巷****志敏
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本发明提供一种数据读写方法、阻变随机存储器及电子设备。所述方法包括:在接收到数据读取指令时,依次读取读目标存储单元中n个存储元的数据作为第一数据,通过所述数据转换器将所述第一数据转换为m位的第二数据并输出,其中,所述第一数据的各位数据至多有一个为1,m为小于或等于<base:Imagehe=@71@wi=@132@file=@DDA0003756018490000011.JPG@imgContent=@drawing@imgFormat=@JPEG@orientation=@portrait@inline
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本发明提供一种阻变随机存储器及制备方法，其中的阻变随机存储器包括：在底层上进行金属沉积，形成下电极金属结构，并对下电极金属结构进行刻蚀，形成规则分布的线状下电极；在下电极上形成ReRAM切换层；在ReRAM切换层上填充介电材料层并处理至下电极的上表面，保留两ReRAM切换层之间的介电材料层；在介电材料层上设置下电极的金属接触，金属接触延伸至相邻的两个ReRAM切换层之间，以形成阻变随机存储器。利用上述的发明能够提高存储单元密度，避免蚀刻工艺对结构造成的损伤。
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本发明提供一种数据读写方法、读写装置和动态随机存储器，读写方法包括：进入页读写模式，所述页读写模式通过所述动态随机存储器的模式寄存器中的保留位来配置。接收页读写命令，包括页读写使能命令，所述页读写使能命令通过所述动态随机存储器的读写命令的保留位来配置。根据所述页读写命令，执行页读写操作。本发明读写方法使得每笔读写命令可以读写大量的数据，减少读写命令发送次数，提高了读写速率，且降低了功耗。
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本发明提供一种数据读写方法、读写装置和动态随机存储器，根据模式选择命令进入页读写模式，所述页读写模式命令通过所述动态随机存储器的模式寄存器来配置；接收页读写命令，包括页读写使能命令和交叉读取命令，所述页读写使能命令通过所述动态随机存储器的读写命令的第一保留位来配置，所述交叉读取命令通过所述动态随机存储器的读写命令的第二保留位来配置，所述交叉读取命令用于用于控制在多个存储块群组中交叉读写数据；根据所述页读写命令，执行交叉页读写操作。
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本发明公开了一种阻变元件的制备方法，包括以下步骤：对衬底层进行刻蚀以形成多个过孔，并在所述衬底层上沉积第一金属层，以及对所述第一金属层进行表面磨平，以在每个过孔内形成底电极；在磨平后的衬底层上沉积阻变层，并对所述阻变层进行刻蚀以使每个底电极对应的位置保留阻变块；在保留所述阻变块的衬底层上沉积电介质层，并对所述电介质层进行刻蚀以使每个阻变块对应的位置打开通道；在每个通道沉积第二金属层，以形成顶电极。本发明的制备方法能够使导电丝成形地聚集在阻变元件的有效区域，分布均匀且统一，大大提高阻变元件的性能。本发明还公
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