IGBT及其封装简介演示幻灯片.ppt
可爱****乐多
亲,该文档总共20页,到这已经超出免费预览范围,如果喜欢就直接下载吧~
相关资料
IGBT及其封装简介演示幻灯片.ppt
IGBT封装绝缘栅双极晶体管(IGBT)是由功率MOSFET和双极晶体管(BJT)复合而成的一种新型的电力半导体器件,它集两者的优点于一体,具有输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、速度快及工作频率高等特点,成为目前最有应用前景的电力半导体器件之一。在轨道交通、航空航天、新能源、智能电网、智能家电这些朝阳产业中,IGBT作为自动控制和功率变换的关键核心部件,是必不可少的功率“核芯”。采用IGBT进行功率变换,能够提高用电效率,提升用电质量,实现节能效果,在绿色经济中发挥着无可替代的作用。IGB
IGBT及其封装简介.pptx
IGBT封装绝缘栅双极晶体管(IGBT)是由功率MOSFET和双极晶体管(BJT)复合而成的一种新型的电力半导体器件,它集两者的优点于一体,具有输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、速度快及工作频率高等特点,成为目前最有应用前景的电力半导体器件之一。在轨道交通、航空航天、新能源、智能电网、智能家电这些朝阳产业中,IGBT作为自动控制和功率变换的关键核心部件,是必不可少的功率“核芯”。采用IGBT进行功率变换,能够提高用电效率,提升用电质量,实现节能效果,在绿色经济中发挥着无可替代的作用。3国内
IGBT的结构原理及特性演示幻灯片.ppt
现代电力电子技术——3.5绝缘栅双极晶体管(IGBT)CONTENT1IGBT简介IGBT,绝缘栅双极晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor),它是由BJT(双极结型晶体管)和MOSFET(绝缘栅型场效应管)组合而成的全控型、电压驱动型半导体器件。BJT(BipolarJunctionTransistor)双极结型晶体管主要特征是:耐压高、电流大、开关特性好。缺点:驱动功率大、驱动电路复杂、开关速度慢。MOSFET绝缘栅型场效应管主要特征是:驱动电路简单,所需要的驱动功率小;
IGBT的结构原理及特性演示幻灯片.ppt
现代电力电子技术——3.5绝缘栅双极晶体管(IGBT)CONTENT1IGBT简介IGBT,绝缘栅双极晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor),它是由BJT(双极结型晶体管)和MOSFET(绝缘栅型场效应管)组合而成的全控型、电压驱动型半导体器件。BJT(BipolarJunctionTransistor)双极结型晶体管主要特征是:耐压高、电流大、开关特性好。缺点:驱动功率大、驱动电路复杂、开关速度慢。MOSFET绝缘栅型场效应管主要特征是:驱动电路简单,所需要的驱动功率小;
封装技术及分类演示幻灯片.ppt
第十章封装二、封装的分类根据所用的材料来划分半导体器件封装形式有金属封装、陶瓷封装和塑料封装。金属封装是半导体器件封装的最原始的形式,它的优点是气密性好,不受外界环境因素的影响;缺点是价格昂贵,外型灵活性小,不能满足半导体器件日益快速发展的需要。陶瓷是硬脆性材料,作为一种封装材料,陶瓷有良好的可靠性、可塑性,且密封性好。塑料封装由于其成本低廉、性能价格比优越、工艺简单,并适于大批量生产,因而具有极强的生命力,自诞生起发展得越来越快,在封装中所占的份额越来越大。三、常见封装的形式1.DIP双列直插式封装2.