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IGBT封装绝缘栅双极晶体管(IGBT)是由功率MOSFET和双极晶体管(BJT)复合而成的一种新型的电力半导体器件,它集两者的优点于一体,具有输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、速度快及工作频率高等特点,成为目前最有应用前景的电力半导体器件之一。在轨道交通、航空航天、新能源、智能电网、智能家电这些朝阳产业中,IGBT作为自动控制和功率变换的关键核心部件,是必不可少的功率“核芯”。采用IGBT进行功率变换,能够提高用电效率,提升用电质量,实现节能效果,在绿色经济中发挥着无可替代的作用。IGBT工作原理国内外IGBT发展现状IGBT封装DBC板简介IGBT工艺流程IGBT主要工艺图解10Hybond141烧结等离子清洗X光检测键合ShinapexSHB-150灌胶&固化成型打标20