内容提供者
一种垂直型氧化镓晶体管及其制备方法.pdf
2023-05-18
10金币
1.1MB
10页
莉娜****ua
实名认证
内容提供者
1/10
2/10
3/10
4/10
5/10
6/10
7/10
8/10
9/10
10/10
在线预览结束，喜欢就下载吧，查找使用更方便
相关资料
一种垂直型氧化镓晶体管及其制备方法.pdf
本发明公开了半导体技术领域的一种垂直型氧化镓晶体管及其制备方法,方法包括以下步骤:对氧化镓材料在1000～1400℃范围内的氧气氛围退火,退火时间1?24h,形成单晶层、缺陷层和氧化层;将氧化镓材料背面的缺陷层和氧化层,以及氧化镓材料正面的缺陷层去除,得到初始样品;在氧化层上制备重掺杂的接触层,在接触层上制备源电极层,以及制备垂直于样品平面的沟槽,在沟槽制备栅介质层,制备栅电极和漏电极。针对现有技术氧化镓场效应晶体管电流不够大,增强型难以实现,且阈值电压容易偏移的问题,设计了垂直型结构的工作于准反型模式的
2023-05-18
10
1.1MB
一种增强型氮化镓基晶体管及其制备方法.pdf
一种增强型氮化镓基晶体管，自下而上包括衬底、复合缓冲层、沟道层和势垒层，在势垒层上设置有P型氮化物帽层、钝化层、源电极、漏电极和栅电极，P型氮化物帽层在侧面和顶面均被栅电极包围，钝化层布设于栅电极与源电极之间以及栅电极与漏电极之间；栅电极与势垒层形成肖特基接触，源电极和漏电极均与势垒层形成欧姆接触；沟道层与势垒层之间形成异质结，且极化效应在异质结界面的沟道层一侧形成二维电子气沟道。该P型氮化物帽层耗尽了沟道中的部分二维电子气，提高了器件的阈值电压，实现增强型器件的目的，P型氮化物帽层周围的栅电极解决了常规
2023-07-16
10
525KB
一种氧化镓悬空晶体管阵列的制备方法.pdf
本发明提供的一种多用途氧化镓悬空晶体管阵列的制备方法，可以作为日盲探测器使用，将氧化镓的光电导型模态与谐振型模态两种深紫外探测模式结合起来，能够有效弥补单一模式面临的缺点，可以提高探测器的动态范围和目标精度。也可以作为晶体管使用，采用氧化镓宽禁带半导体材料的电路与传统硅基电路相比，功率密度更高、功耗更低。本发明采用晶圆级悬空氧化镓晶体管制备工艺，进一步增加器件的多用途性，降低了成本。有着良好的应用前景，同时也符合未来器件集成化、小型化的发展方向。
2023-06-27
10
739KB
氧化镓薄膜晶体管的制备及其紫外探测研究.docx
氧化镓薄膜晶体管的制备及其紫外探测研究氧化镓薄膜晶体管是一种新型的半导体材料，具有优异的光电性能，被广泛应用于紫外探测器件中。本文将详细介绍氧化镓薄膜晶体管的制备方法以及其在紫外探测方面的研究进展。一、氧化镓薄膜晶体管的制备方法氧化镓薄膜晶体管主要有两种制备方法，分别是物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）。1.物理气相沉积（PVD）法物理气相沉积是一种将高纯度的氧化镓靶材蒸发到基底表面的方法。该方法具有制备工艺简单、成本低廉等优点。首先，在真空腔内，将氧化镓靶材置于石墨舟上，并加热使其蒸发。蒸发
2024-10-28
5
10KB
一种氧化镓光电探测器及其制备方法.pdf
本公开提供了一种氧化镓光电探测器，包括：衬底(100)；氧化镓层(200)，其设于衬底(100)的表面；第一电极(300)和第二电极(400)，第一电极(300)和第二电极(400)不接触，第一电极(300)和第二电极(400)均包括多个支层，多个支层的一端镶嵌于氧化镓层(200)的内部及表面，另一端相互连接于氧化镓层(200)的外部。另一方面，本公开还提供了一种氧化镓光电探测器的制备方法。本公开中的结构制作简单，电场在整个探测器中分布均匀，可显著提高氧化镓日盲光电探测器的量子效率、响应度、响应速度和线性
2023-06-27
10
308KB