内容提供者
一种氮化镓基发光二极管外延结构及其制备方法.pdf
2023-05-18
10金币
492KB
15页
猫巷****熙柔
实名认证
内容提供者
1/10
2/10
3/10
4/10
5/10
6/10
7/10
8/10
9/10
10/10
亲，该文档总共15页，到这已经超出免费预览范围，如果喜欢就直接下载吧～
相关资料
氮化镓基LED外延结构及其制备方法.pdf
本发明提供了一种氮化镓基LED外延结构及其制备方法,其中,氮化镓基LED外延结构包括:依次生长于生长衬底表面的成核层、电流扩展层、应力缓冲层、InAlN电子阻挡层、多量子阱垒区、AlGaN电子阻挡层及P型GaN层,其中,InAlN电子阻挡层由多重InAlN/GaN周期结构组成;在每重周期结构中,InAlN层中的In组分为1%～25%。其在多量子阱垒区域前插入由多重InAlN/GaN周期结构组成的InAlN电子阻挡层,在AlGaN电子阻挡层的基础上,进一步对电子进行阻挡,能够有效降低LED芯片在超大电流工作
2023-05-24
10
氮化镓基LED外延结构及其制备方法.pdf
本发明提供了一种氮化镓基LED外延结构及其制备方法,其中,氮化镓基LED外延结构包括:依次生长于生长衬底表面的成核层、电流扩展层、应力缓冲层、InAlN电子阻挡层、多量子阱垒区、AlGaN电子阻挡层及P型GaN层,其中,InAlN电子阻挡层由多重InAlN/GaN周期结构组成;在每重周期结构中,InAlN层中的In组分为1%～25%。其在多量子阱垒区域前插入由多重InAlN/GaN周期结构组成的InAlN电子阻挡层,在AlGaN电子阻挡层的基础上,进一步对电子进行阻挡,能够有效降低LED芯片在超大电流工作
2023-05-16
10
386KB
一种氮化镓基发光二极管外延结构及其制备方法.pdf
本发明提供一种氮化镓基发光二极管外延结构及其制备方法,外延结构包括多量子阱层,所述多量子阱层包括周期性依次层叠的多个量子阱层及量子垒层;所述量子垒层包括第一量子垒层和第二量子垒层,所述第二量子垒层包括交替生长的多个第一子层及第二子层,所述第一子层与所述量子阱层接触,所述第二子层或所述第一子层与所述P型AlGaN电子阻挡层接触。本发明第二量子垒层中第一子层Al<base:Sub>x</base:Sub>Ga<base:Sub>1?x</base:Sub>N层中Al组分越高,势垒高度越高,越有能力阻挡电子溢出
2023-05-18
10
492KB
一种氮化镓基发光二极管外延结构及其制备方法.pdf
本发明提供一种氮化镓基发光二极管外延结构及其制备方法，该外延结构自下至上依次包括：衬底、形核层、缓冲层、N型GaN层、多量子阱有源区、电子阻挡层、P型III族氮化物叠层；所述P型III族氮化物叠层由P型GaN层和P型In
2023-06-14
10
686KB
硅基氮化镓铝外延片及其制备方法.pdf
本发明公开了一种硅基氮化镓铝外延片及其制备方法,所述硅基氮化镓铝外延片包括硅衬底,所述硅衬底的背面设有热应力补偿层,所述硅衬底的正面依次层叠有应力补偿层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层;所述应力补偿层包括依次层叠的AlN层、三维Al<base:Sub>1?x</base:Sub>B<base:Sub>z</base:Sub>GaN层、SiN层和二维Al<base:Sub>y</base:Sub>GaN层,其中0<x≤0.5,0.1≤z≤0.3,0.55≤y≤0.6,
2023-05-26
10
344KB