一种基于三端突触器件的联想学习神经网络阵列.pdf
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一种基于三端突触器件的联想学习神经网络阵列.pdf
本发明公开了一种基于三端突触器件的联想学习神经网络阵列,其特点是利用四个铁电突触与两个IF神经元构建的阵列式神经网络系统,输入具有时间差的脉冲序列来训练该网络,IF神经元通过调节网络系统输入的脉冲信号,改变铁电突触栅极的脉冲信号频率,从而调控三端SRDP突触的权重,实现联想学习,并通过单次迭代实现联想识别。本发明与现有技术相比具有对任意的特征信息进行联想学习,并且通过单次迭代实现联想识别,电路结构简单,较好的模拟了生物体内联想学习的行为,有效解决了忆阻器件的重复性和均匀性问题,促进类脑神经网络的进一步发展
一种突触器件及神经形态器件.pdf
本发明涉及神经形态计算技术领域,公开了一种突触器件及神经形态器件,该突触器件包括摩擦纳米发电机以及负载电阻,其中:摩擦纳米发电机的正极与负载电阻的第一端电连接,摩擦纳米发电机的负极与负载电阻的第二端电连接。本发明提出的基于摩擦纳米发电机的突触器件结构简单且负载电阻容易调整,具有良好的突触可塑性;可以利用现有的摩擦纳米发电机制备而成,制备方式容易,同时具有优异的突触性能。
一种基于AlScN的光-铁电突触器件及制备方法.pdf
本申请提供的基于AlScN的光‑铁电突触器件及制备方法,包括自下至上依次设置的衬底、底电极、AlScN铁电层及顶电极,利用AlScN材料的极化方向可随外电场方向翻转的特性,通过电脉冲实现写入信息;利用AlScN材料在外加偏压为零时的强剩余极化特性,实现信息的准确记忆;利用其宽带隙的优势,在零偏压下实现日盲紫外波段的信息无损读取,并且两端器件结构制备方法简单。
一种光调控三端口人工突触器件及制备方法.pdf
本发明公开了一种光调控三端口人工突触器件及制备方法,所述器件的结构包含衬底;位于所述衬底上的栅电极和栅绝缘层;位于所述栅绝缘层上的聚合物薄膜层;位于所述聚合物薄膜层上的有机半导体层;位于所述有机半导体层上的半导体沟道层;位于所述半导体沟道层两端的源电极和漏电极。所述制备方法包括选择衬底、形成栅电极和栅绝缘层、配制聚合物溶液、旋涂形成聚合物薄膜层、真空混蒸有机半导体层和源漏电极。本发明的器件将三端口人工突触中的有机半导体层用P型半导体和N型半导体混蒸而成,既保留了器件的器件特性,又优化器件结构;其制备方法操
一种基于卷积神经网络端到端的转辙机缺口检测方法.pdf
本发明属于深度学习与人工智能技术领域,特别涉及一种基于卷积神经网络端到端的转辙机缺口检测方法。包括采集列车经过道岔及转辙机带动道岔转换过程的转辙机缺口图像;对采集到的的缺口图像进行筛选和标注得到数据集;将数据集按比例7:2:1划分为训练集,验证集和测试集;对训练集进行数据增强处理;利用数据集训练神经网络,得到检测网络;将采集的缺口图像输入训练好的神经网络进行检测;对检测结果进行分析并给出分析结果。可将各种类型转辙机的缺口检测系统整合成一个系统,提高系统的普适性和可移植性。