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碳化硅半导体装置以及碳化硅半导体装置的制造方法.pdf
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本公开的目的在于提供一种生产性优良且抑制在体二极管中流过大电流时的特性劣化的碳化硅半导体装置。包括SiC基板(10)、缓冲层(11)以及漂移层(12)的构造体在俯视时被划分成在对SiC?MOSFET(101)施加电压时流过电流的活性区域(13)和比活性区域(13)更靠外周侧的耐压保持区域(14),活性区域(13)在俯视时被划分成中央部的第1活性区域(15)、和第1活性区域(15)与耐压保持区域(14)之间的第2活性区域(16)。第2活性区域(16)以及耐压保持区域(14)中的少数载流子的寿命比第1活性区域
2023-05-16
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在偏角为5度以下的SiC半导体基板上成膜使聚束台阶高度和因平台上的反应种的迁移不良引起的结晶缺陷都减少的外延层。在偏角为5度以下的SiC半导体基板的表面上，且与该表面相接地，在生长温度T1下从时刻t1到时刻t2的期间内成膜第一层外延层。使反应炉的温度从生长温度T1降温至生长温度T2，在第一层外延层的表面上，且与该表面相接地，在生长温度T2(＜T1)下从时刻t3到时刻t4的期间内使第二层外延层外延生长。如上所述，将外延层设为两层结构，相比第一外延层将第二外延层的生长温度设定为低。
2023-06-20
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本发明提供一种在通过化学气相沉积法制作SiC单晶基板后无需进行追加工序的载流子寿命长的碳化硅半导体装置的制造方法。将反应炉内的温度调整到1700℃(步骤S5)。接着，向反应炉内导入原料气体、添加气体、掺杂气体和运载气体(步骤S6)。然后，通过CVD法使SiC外延膜在4H-SiC基板的表面生长(步骤S7)。接下来，在用氢气稀释了的甲基甲烷气体气氛下，将层叠了SiC外延膜的4H-SiC基板冷却，直到反应炉内的温度从1700℃下降到1300℃(步骤S8)。然后，在氢气气氛下，将层叠了SiC外延膜的4H-SiC基
2023-06-19
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碳化硅半导体装置的制造方法.pdf
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本发明涉及碳化硅晶片的制造方法、半导体衬底的制造方法和碳化硅半导体装置的制造方法。提供了SiC晶片的制造方法，其可以增加可以由所制造的SiC单晶锭制备的SiC晶片的收率和半导体芯片的成品收率。在由SiC单晶锭80形成圆柱部时，圆柱部的直径逐渐改变。具体地，将被配置成具有截头圆锥形状的SiC单晶锭80制成其直径从SiC单晶锭80的上表面朝向下表面增加的圆柱部，而不是都具有相同直径的圆柱部。
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