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一种降低硅片表面金属的清洗方法.pdf
2023-05-14
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一吃****书竹
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一种降低硅片表面金属的清洗方法.pdf
本发明涉及一种降低硅片表面金属的清洗方法,所属硅片清洗技术领域,包括如下操作步骤:第一步:使用的清洗液原料MC1是NH4OH和螯合剂组成,硅片在65℃的温度下进行浸泡清洗5～7min。第二步:去离子水进行清洗。第三步:SC2清洗液由体积比为(1∶3∶30)～(1∶6∶60)的HCl、H2O2、H2O组成,硅片在65℃的温度下浸泡清洗5～7min。第四步:去离子水进行清洗。第五步:O<base:Sub>3</base:Sub>清洗将硅片放入O<base:Sub>3</base:Sub>水中浸泡5min。第六
2023-05-14
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一种降低硅片表面粗糙度和表面损伤的加工方法，它包括以下几个步骤：(1)、将经切片、倒角后的硅片置于垂直状态，使用砂粒粒径大于或等于5微米，小于或等于10微米的砂轮，对硅片的两面同时进行加工；(2)、将硅片置于水平状态，固定硅片一面，使用砂粒粒径小于或等于1微米的砂轮，对硅片另一表面进行修整磨削加工，加工完成后翻转硅片，继续对硅片未被加工的一面进行磨削加工，修整硅片表面形貌。本发明的优点是排除了使用化学腐蚀方法，一方面降低硅片加工的成本，另一方面克服化学腐蚀方法带入的安全和环境问题。
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本申请公开了一种硅片清洗方法，包括以下步骤：s1：将待清洗的硅片放置在纯水内预留；s2：毛刷辊将硅片上下表面较硬的杂质颗粒去除；s3：碱洗；s4：第一次纯水喷淋；s5：烘干。该清洗方法通过毛刷辊对硅片表面的颗粒杂质进行有效清除，从而减少后续清洗剂的使用量以及清洗用水量，所需电耗少，降低成本，节约能耗，且减少了清洗过程中硅片崩边、缺角、破裂、碎片的现象。
2023-11-14
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