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本发明公开了一种TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层及其制备方法,Zr的原子百分比小于15.8at.%,其余为近等原子比的TaWMoCr。在抛光的钢基体和单晶硅基体上采用磁控溅射共溅射的方法制备TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层,其中TaWMoCr合金靶采用2个直流电源,Zr靶采用1个射频电源。高真空磁控溅射共溅射制备得到的TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层为单相BCC固溶体,具有纳米柱状晶结构,表面形貌为针片状,成分均匀,组织致密,厚度为2.1~2.7μm。Zr的适量加入可以有效提高TaWMoCr高熵合金涂层的力学性能、膜基结合性能以及抗氧化性能,扩展了高熵合金涂层的应用范围。