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本发明公开了一种流场板及其制备方法和应用。该流场板的制备方法包括对所述流场板基材进行等离子体处理;所述流场板基材包括依次设置的基底层、过渡金属氮化物镀层和导电性金属镀层;所述等离子体处理的气源包括稀释气体和CF4,所述稀释气体与所述CF4的体积比为(10~20):1,所述气源的流量为1~100sccm;所述等离子体处理时的压力0.005~0.02Pa;所述等离子体处理的功率为800~1200W。本发明通过对等离子体的在线处理工艺过程的摸索和实验,流场板表面的疏水性得到了改善,并且长期存储后,流场板的接触角保持不变。