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本发明属于低介微波介质陶瓷技术领域,更具体地,涉及一种硅锗基低介微波介质陶瓷及其制备方法。将化学通式为xBaO?MO2?3NO2(M=SnyZrzHfk;N=Si1?lGel;y+z+k=1;0<x≤1.0;0≤y≤1.0;0≤z≤1.0;0≤k≤1.0;0≤l≤1.0)的化合物用于制备微波介质陶瓷材料。该陶瓷具有低介电常数(εr=6.6~9.5)、优异的品质因数(Q×f=7977~36100GHz)和较宽的烧结温度(1200℃~1450℃),同时该微波介质陶瓷具有负的谐振频率温度系数(?37.8ppm/℃≤τf≤?22.8ppm/℃)。该微波介质陶瓷的较低的烧结温度、低的介电常数和优异的品质因数可使这种低介微波介质材料作为介质基板、介质谐振器以及介质滤波器等元器件的原材料使用。