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本发明提供半导体存储装置以及半导体存储装置的制造方法,能够实现电气特性的提高。实施方式的半导体存储装置具有第1基板、第2基板、第1层叠体以及第2层叠体。上述第1层叠体设置在上述第1基板与上述第2基板之间,包括第1布线、与上述第1布线连接的第1焊盘、以及第1绝缘体。上述第2层叠体设置在上述第1层叠体与上述第2基板之间,包括第2布线、与上述第2布线连接的第2焊盘、以及第2绝缘体。上述第1焊盘包括分别与上述第1布线连接的多个第1电极部。在上述多个第1电极部之间设置有上述第1绝缘体。上述多个第1电极部与上述第2焊盘接合。