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半导体装置及其制造方法.pdf
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本发明对于n型III族氮化物半导体获得良好的欧姆结合。在图1（b）中，在剥离层（21）上，依次成膜n型GaN层（11）、p型GaN层（13）、即进行生长工序。如图1（c）所示，在p型GaN层（13）的表面上面形成p侧电极（14）。如图1（d）所示，经由金属帽（31）在整个上面形成铜块（32）。之后，通过化学性处理去除剥离层（21），即进行剥离工序。接下来，对这个面上暴露出的n型GaN层（11）和p型GaN层（12）的层积构造进行了异方性湿式蚀刻，即进行表面蚀刻工序。如图1（f）所示，上述蚀刻后的N极性面其
2023-06-14
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本揭示涉及一种半导体装置及其制造方法。根据一实施方式,半导体装置具备:积层膜,包含于第1方向交替积层的多个电极层及多个绝缘层;及柱状部,包含在所述积层膜内于所述第1方向延伸的电荷存储层及第1半导体层。所述装置还具备设置于所述积层膜及所述柱状部上的第2半导体层,所述第2半导体层内的至少一部分区域包含1.0×10<base:Sup>21</base:Sup>cm<base:Sup>?3</base:Sup>以上的原子浓度的磷与1.0×10<base:Sup>19</base:Sup>cm<base:Sup>?
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实施方式提供一种能够抑制栅极电极的耗尽化的半导体装置及其制造方法。本实施方式的半导体装置具备衬底。栅极绝缘膜设置在衬底的表面。第1栅极电极层设置在栅极绝缘膜上。第2栅极电极层设置在第1栅极电极层上且与该第1栅极电极层电连接。第1接点贯通第2栅极电极层而到达第1栅极电极层。第1及第2杂质层设置在第1及第2栅极电极层的两侧。
2023-05-06
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本发明提供一种半导体装置及其制造方法，是使用将未固化的树脂或接合剂涂布在基板上使其扩展并使其固化的工序制造的半导体装置，具备将未固化的树脂或接合剂停留在所希望的区域的结构，并且小型化。具有搭载有半导体元件的基板和形成在基板上的金属图案。金属图案具备在基板上分离设置的第1金属图案和第2金属图案、以及配置在第1金属图案和第2金属图案之间并在厚度方向上贯通基板的贯通电极。
2023-11-12
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