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半导体装置及其制造方法.pdf
2023-11-12
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一条****彩妍
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本发明对于n型III族氮化物半导体获得良好的欧姆结合。在图1（b）中，在剥离层（21）上，依次成膜n型GaN层（11）、p型GaN层（13）、即进行生长工序。如图1（c）所示，在p型GaN层（13）的表面上面形成p侧电极（14）。如图1（d）所示，经由金属帽（31）在整个上面形成铜块（32）。之后，通过化学性处理去除剥离层（21），即进行剥离工序。接下来，对这个面上暴露出的n型GaN层（11）和p型GaN层（12）的层积构造进行了异方性湿式蚀刻，即进行表面蚀刻工序。如图1（f）所示，上述蚀刻后的N极性面其
2023-06-14
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本发明提供一种半导体装置及其制造方法，是使用将未固化的树脂或接合剂涂布在基板上使其扩展并使其固化的工序制造的半导体装置，具备将未固化的树脂或接合剂停留在所希望的区域的结构，并且小型化。具有搭载有半导体元件的基板和形成在基板上的金属图案。金属图案具备在基板上分离设置的第1金属图案和第2金属图案、以及配置在第1金属图案和第2金属图案之间并在厚度方向上贯通基板的贯通电极。
2023-11-12
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本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。该方法包括：提供半导体结构，该半导体结构包括：层间电介质层，被该层间电介质层包围的第一金属层，以及在该层间电介质层上的半导体层；刻蚀半导体层以形成露出层间电介质层的开口，该开口包括露出层间电介质层的一部分的第一开口和在第一开口之上的第二开口，第二开口与第一开口形成台阶；在形成开口后的半导体结构上形成绝缘物层；刻蚀处在第一开口的底部的绝缘物层的部分和层间电介质层的部分以形成露出第一金属层的一部分的凹槽；在绝缘物层上和在凹槽的底部和侧壁上形成第二金属层；以及对第二金属层
2023-11-17
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