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半导体装置以及电力变换装置.pdf
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一吃****福乾
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半导体装置以及电力变换装置.pdf
缓和对半导体装置的表面电极的恶劣影响。半导体装置具备:第1阱区域,形成于漂移层的上表面的表层;栅极电极;第2阱区域,在俯视时包围第1阱区域;以及栅极部,覆盖层间绝缘膜和从层间绝缘膜露出的栅极电极。而且,栅极电极的外侧端部比栅极部的外侧端部更远离第1阱区域、并且比第2阱区域的外侧端部更接近第1阱区域。
2023-05-06
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半导体装置以及电力变换装置.pdf
在该半导体装置(1)中,功率半导体元件(2)的发射极电极(5)包括:第1副电极(5a),形成于半导体基板(3)的表面的包括中央部的区域;以及第2副电极(5b),形成于半导体基板的表面的不包括中央部的区域。第1键合线(21～23)将第1副电极与发射极端子(13)进行连接。第2键合线(24～26)将第2副电极与发射极端子进行连接。第1以及第2电压检测器(41、42)分别检测第1以及第2副电极与发射极端子之间的电压。能够分别检测在初期劣化的第1键合线和在末期劣化的第2键合线这两方的劣化。
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碳化硅半导体装置以及电力变换装置.pdf
通过抑制在场效应晶体管的体二极管中产生大电流,抑制元件特性的变动。碳化硅半导体装置具备:碳化硅半导体基板;半导体层,形成于碳化硅半导体基板的上表面;以及背面电极,形成于碳化硅半导体基板的下表面,将电阻率是第1值的区域设为第1电阻区域,将电阻率是比第1值大的第2值的区域设为第2电阻区域,第2电阻区域是在俯视时跨越活性区域与终端区域之间的边界即区域边界的区域。
2023-05-13
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半导体元件的驱动方法及驱动装置以及电力变换装置.pdf
半导体元件通过依照驱动控制信号(Ssw)控制栅电压而进行接通断开控制。在依照驱动控制信号(Ssw)驱动半导体元件的栅时，通过在栅电压(Vg)的密勒期间(200)的开始后的第1时刻(t1)，使驱动信号(Sdr)从“1”变化为“0”，相比于从开通动作的开始时刻(ts)至第1时刻(t1)的期间，栅驱动能力临时地降低。进而，通过在与密勒期间(200)的结束对应的第2时刻(t2)，使驱动信号(Sdr)从“0”变化为“1”，栅驱动能力上升。
2023-11-01
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本发明涉及电力变换装置以及电力变换装置的控制方法。能高精度地检测会在路面与车轮的再粘着控制时产生的电动机输出不平衡状态。具备：检测被各电动机驱动的多个车轴的旋转频率旋转频率检测器；和基于旋转频率来控制各电动机的电流的控制单元，控制单元具备：运算旋转频率的平均值的平均值运算器；选择旋转频率的最小值的最小值选择器；基于平均值和各电动机的电流值来运算输出频率的输出频率运算器；和检测电动机的输出不平衡的电动机输出不平衡检测器，电动机输出不平衡检测器具备：从输出频率运算器输入的运算值减去最小值的减法运算器；和基于从
2023-09-04
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