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薄膜形成用前体、其制备方法以及包含其的薄膜制备方法.pdf

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本发明涉及薄膜形成用前体、其制备方法以及包含其的薄膜制备方法,具体涉及在20℃、1bar条件下为液体,并且,包含20～100重量%的由化学式1表示的配位化合物以及0～80重量%的烷基的碳原子数为1～15的烷基氰化物的薄膜形成用前体、其制备方法以及包含其的薄膜制备方法,[化学式1]MXnLmYz其中,M为铌(Nb)、钨(W)或钼(Mo);X为卤素元素;n为1～6的整数;L为烷基的碳原子数为1～15的烷基氰化物,或碳原子数为3～15且被一个以上的氮(N)、氧(O)、磷(O)或硫(S)取代的线性或环状饱和烃;m为1～3的整数;所结合的Y为胺;z为0～4的整数;n+z为3～6的整数。根据本发明,提供一种薄膜形成用前体、其制备方法以及包含其的薄膜制备方法,该薄膜形成用前体在常温下为液态,挥发性强,因此沉积速度非常快,并且当注入到薄膜沉积腔室时,易于处理,尤其是热稳定性出色,因而能够制备出纯度高且台阶覆盖性优秀的薄膜。