一种晶圆划片装置.pdf
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一种晶圆划片装置.pdf
本实用新型涉及晶圆激光开槽设备的技术领域,尤其是一种晶圆划片装置,包括激光器、设置在激光器正前方的第一准直镜、设置在第一准直镜前方的二向分光镜、设置在二向分光镜正前方的角度可调节的第一光闸、设置在第一光闸前方的第一45°反射镜、依次设置在第一45°反射镜下方的第二准直镜和耦合透镜、设置在耦合透镜下方的水刀头、和水刀头相连接的微流泵。本实用新型将将激光开槽和微水刀激光切割整合到一台设备上,提高了加工效率,降低了加工成本,将激光开槽和微水刀激光切割相结合,此种方法切割low?k介质晶圆不仅避免了传统机械式刀片
一种用于SiC晶圆的划片装置及方法.pdf
本发明提供了一种用于SiC晶圆的划片装置及方法,其中用于SiC晶圆的划片装置包括:X向悬臂、Z向立柱、工作台、砂轮和喷枪,所述的X向悬臂内设有X向滚珠丝杠且X向悬臂下方同时设有划片砂轮和等离子体喷枪;所述的Z向立柱内设有Z向滚珠丝杠与X向悬臂相连;所述的底座内设有工作台旋转电机;所述的工作台的上方设有Y向移动装置;所述砂轮的右侧设有等离子体喷枪调节装置;其特征在于:本发明提供的SiC晶圆的划片装置及方法将等离子体改性与砂轮划切相结合,具有结构简单且操作方便的优点,通过利用该装置及与该装置匹配的划片方法可以
一种硅晶圆划片加工方法.pdf
本发明涉及一种硅晶圆划片加工方法,包括依次进行的如下步骤:步骤一:使用激光在硅晶圆背面标刻十字图形,激光波长1064nm,功率3W,速度200mm/s,划槽宽度25μm,划槽深度5μm;步骤二:使用砂轮划片机从硅晶圆的正面切割道进行划片,速度50mm/s,划槽宽度26μm,划槽深度20μm;步骤三:以激光标刻的十字图形为参考对位,使用砂轮划片机从硅晶圆的背面划片,速度25mm/s,划槽宽度26μm,完全划透晶圆。
晶圆划片工艺分析.doc
晶圆划片工艺分析来源:中国IC技术交易网晶圆划片工艺已经不再只是把一个硅晶圆划片成单独的芯片这样简单的操作。随着更多的封装工艺在晶圆级完成并且要进行必要的微型化针对不同任务的要求在分割工艺中需要对不同的操作参数进行调整。例如分割QFN封装需要具有可以切割柔性和脆性材料组成的复合基板的能力。MEMS封装则常常具有微小和精细的结构&mdashmdash;梁、桥、铰链、转轴、膜和其他敏感形态&mdashmdash;这些都需要特别的操作技术和注意事项。在切割硅晶圆厚度低于100?或者像GaAs
晶圆划片工艺分析.doc
晶圆划片工艺分析来源:中国IC技术交易网晶圆划片工艺已经不再只是把一个硅晶圆划片成单独的芯片这样简单的操作。随着更多的封装工艺在晶圆级完成,并且要进行必要的微型化,针对不同任务的要求,在分割工艺中需要对不同的操作参数进行调整。例如,分割QFN封装需要具有可以切割柔性和脆性材料组成的复合基板的能力。MEMS封装则常常具有微小和精细的结构&mdashmdash;梁、桥、铰链、转轴、膜和其他敏感形态&mdashmdash;这些都需要特别的操作技术和注意事项。在切割硅晶圆厚度低于100?,或者像GaAs这样的脆性