一种功率半导体器件的终端结构.pdf
是向****23
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功率半导体器件的终端结构及功率半导体器件.pdf
本发明提供了一种功率半导体器件的终端结构及功率半导体器件。该功率半导体器件的终端结构包括位于功率半导体器件主体半导体区中的沟道环,所述沟道环的材料为相对介电常数为1~15之间的本征多晶材料。本发明的功率半导体器件的终端结构中沟道环采用相对介电常数在15以内的本征多晶材料,使通过该沟道环区域内的电场线接近水平、并且在该区域内无极值点,可以很好地降低载流子的滞留量,从而提高击穿电压。
一种功率半导体器件的终端结构.pdf
本实用新型涉及半导体器件设备技术领域,尤其为一种功率半导体器件的终端结构,包括终端主体,所述终端主体的外侧连接有防静电保护壳,所述终端主体的端面上开设有多组电连接槽,所述电连接槽中连接有电连接片,所述电连接片的另一端连接有稳定焊脚,所述稳定焊脚连接在防静电保护壳的侧壁上,所述终端主体的侧壁上均开设有连接滑槽,所述连接滑槽中设置有连接槽,本实用新型通过在功率半导体器件的终端结构中采用在终端主体的外侧连接有防静电保护壳的设计,从而使得功率半导体器件的终端结构在工作的时候,可以隔绝外部静电的干扰,使得运行的更加
一种半导体功率器件及其终端结构.pdf
本发明提供了一种半导体功率器件及其终端结构,该终端结构包括:具有第一导电类型的半导体衬底;具有第一导电类型的第一半导体区,具有第二导电类型的第二半导体区,第一半导体区、第二半导体区位于半导体衬底的上表面中;槽体,位于半导体衬底的上表面中,槽体中填充介质;槽体的至少一部分被具有第二导电类型的第三半导体区包围。通过实施本发明,可在更短的距离内承受高电压,从而减小终端结构的面积,且包覆该槽体的半导体区可使半导体器件具有较高击穿电压,并且可以有效降低器件对界面电荷的敏感度。
一种半导体功率器件的边缘终端及其制造方法和半导体功率器件.pdf
本发明公开了一种半导体功率器件的边缘终端及其制造方法和半导体功率器件,该边缘终端包括:N个浮空场限环,浮空场限环环绕半导体功率器件的主结区,其中第1个至第n个浮空场限环的结深与主结区的结深相同,第n+i个浮空场限环的结深大于第n个浮空场限环的结深,且从第n+1个浮空场限环开始,浮空场限环的结深逐渐增大,N、n、i为正整数,且2≤n<n+i≤N。本发明边缘终端通过优化浮空场限环的结深和掺杂分布,浮空场限环的曲率半径增大,提升了终端区的电场分布均匀性和面积,进而提升了终端效率和阻断电压。
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本发明公开了一种半导体功率器件的边缘终端及其制造方法和半导体功率器件,该边缘终端包括:N个浮空场限环,浮空场限环环绕半导体功率器件的主结区,其中第1个至第n个浮空场限环的结深与主结区的结深相同,第n+i个浮空场限环的结深大于第n个浮空场限环的结深,且从第n+1个浮空场限环开始,浮空场限环的结深逐渐增大,N、n、i为正整数,且2≤n<n+i≤N。本发明边缘终端通过优化浮空场限环的结深和掺杂分布,浮空场限环的曲率半径增大,提升了终端区的电场分布均匀性和面积,进而提升了终端效率和阻断电压。