发明授权-201480016932.3-检测系统.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利(10)授权公告号CN105143862B(45)授权公告日2019.07.09(21)申请号201480016932.3(73)专利权人亨内克系统有限责任公司地址德国苏尔匹希(22)申请日2014.03.18(72)发明人格雷戈尔皮茨科斯基(65)同一申请的已公布的文献号·斯蒂申请公布号CN105143862A芬·詹森托马斯·爱莎(43)申请公布日2015.12.09(74)专利代理机构北京东方亿思知识产权代理有限责任公司11258(30)优先权数据代理人鲁异13159991.22013.03.19EP(51)Int.Cl.(85)PCT国际申请进入国家阶段日G01N21/95(2006.01)2015.09.18(56)对比文件(86)PCT国际申请的申请数据CN1849508A,2006.10.18,PCT/IB2014/0003892014.03.18WO2012091344A2,2012.07.05,(87)PCT国际申请的公布数据KR20110008665A,2011.01.27,WO2014/147467EN2014.09.25审查员张咏权利要求书3页说明书10页附图7页(54)发明名称检测系统(57)摘要本发明涉及一种用于就缺陷(20a、20b)尤其是在斜面或倾斜边缘上的缺陷来检测诸如晶片、太阳能电池或其中间阶段等的平面半导体物体(1)的检测方法，该检测方法包括以下步骤：在纵向传输方向(T)中沿传输路径(17)传输平面物体(1)，传输运动界定平面物体(1)的前缘(4)和后缘(5)，利用至少一个成像系统(8、9)，优选为摄像机在平面物体(1)沿传输路径(17)的运动期间连续拍摄平面物体(1)的尤其是平面物体(1)的前部和/或后部的多个图像，从多个图像中选择图像数据，该图像数据是从在成像系统(8、9)景深内的平面物体(1)的目标点拍摄的，基本通过所选择的图像数据识别平面物体(1)的缺陷(20a、20b)。本发明还涉及用于检测平面半导体物体的检测系统。CN105143862BCN105143862B权利要求书1/3页1.一种检测方法，其用于检测半导体平面物体(1)的边缘(4、5、6)上的缺陷(20a、20b)，所述检测方法包括以下步骤：在传输方向(T)中沿传输路径(17)传输所述平面物体(1)，传输运动界定所述平面物体(1)的前缘(4)和后缘(5)，利用至少一个成像系统(8、9)，在所述平面物体(1)沿所述传输路径(17)的运动期间，连续拍摄所述平面物体(1)的前部和/或后部的多个图像，从所述多个图像中选择图像数据，其中所述图像数据是从在所述成像系统(8、9)景深内的所述平面物体(1)的目标点拍摄的，通过所选择的图像数据识别所述平面物体(1)的边缘(4、5、6)上的缺陷(20a、20b)。2.根据权利要求1所述的检测方法，其中，所述半导体平面物体(1)是晶片、太阳能电池、或太阳能电池的中间阶段。3.根据权利要求1所述的检测方法，其中，所述成像系统(8、9)是摄像机。4.根据权利要求1所述的检测方法，其中，所述成像系统(8、9)的目标平面(19)在所述平面物体(1)沿所述传输路径(17)的运动期间，相对于所述传输路径(17)的平面或所述平面物体(1)的平面倾斜。5.根据权利要求1所述的检测方法，其中，利用所述成像系统(8、9)对所述平面物体(1)成像是从观察路径(10、11)进行的，所述观察路径(10、11)的光学轴线以小于60度的观察角(α)围绕所述传输方向(T)，其中，所述观察角(α)界定在垂直于所述平面物体(1)的平面内。6.根据权利要求5所述的检测方法，其中，所述观察角(α)界定在平行于所述传输方向(T)的平面内。7.根据权利要求5所述的检测方法，其中，所述观察角(α)小于30度。8.根据权利要求7所述的检测方法，其中，所述观察角(α)小于15度。9.根据权利要求5所述的检测方法，其中，所述观察角(α)大于5度。10.根据权利要求9所述的检测方法，其中，所述观察角(α)为10-12度。11.根据前面任何一项权利要求所述的检测方法，其中，在拍摄所述多个图像时，所述成像系统(8、9)的景深小于3mm。12.根据权利要求11所述的检测方法，其中，在拍摄所述多个图像时，所述成像系统(8、9)的景深小于1.5mm。13.根据权利要求12所述的检测方法，其中，在拍摄所述多个图像时，所述成像系统(8、9)的景深是1.2mm。14.根据权利要求1-10中任一项所述的检测方法，其中，所述成像系统(8、9)包括线性扫描摄像机，以及其中所述线性扫描摄像机的线取向平行于所述传输路径(17)的平面或所述平面物体(1)的平面。15.根据权利要求14所述的检测方法，其中，所述线性扫描摄像机