半导体二极管参数的测量.ppt
2．二极管的主要参数（1）最大整流电流指管子长期工作时，允许通过的最大正向平均电流。（2）反向电流指在一定温度条件下，二极管承受了反向工作电压、又没有反向击穿时，其反向电流值。（3）反向最大工作电压指管子运行时允许承受的最大反向电压。应小于反向击穿电压。（4）直流电阻指二极管两端所加的直流电压与流过它的直流电流之比。良好的二极管的正向电阻约为几十Ω到几kΩ；反向电阻大于几十kΩ到几百kΩ。（5）交流电阻r二极管特性曲线工作点Q附近电压的变化量与相应电流变化量之比。（6）二极管的极间电容势垒电容与扩散电容之
2024-11-26
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半导体二极管三极管和场效应管.ppt
第1章半导体二极管、三极管和场效应管一、电子技术的发展很大程度上反映在元器件的发展上:二、模拟信号与模拟电路三、“模拟电子技术基础”课程的特点四、如何学习这门课程五、课程的目的半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如：内电场方向1.2.3PN结电容正极引线1.3.3二极管的主要参数例2：二极管：死区电压=0.5V，正向压降0.7V(硅二极管)理想二极管：死区电压=0，正向压降=0t1.4稳压管例：稳压二极管的应用光电二极管发光二极管集电区由于基区很薄,掺杂浓度又很小,电子在
2024-11-26
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半导体中的杂质和缺陷能级.ppt
第二章半导体中的杂质和缺陷能级原子并非固定不动，格点原子在平衡位置附近振动；（2）若视晶体中的原子为球体，且最近原子相切：（3）杂质原子进入半导体中的存在方式：2、施主杂质施主能级施主杂质或N型杂质：3、受主杂质受主能级Ec②Ⅲ、Ⅴ族元素的杂质电离能（△EA、△ED）很小，即：受主能级EA距EV很近、施主能级ED距EC很近，故杂质能级称为浅能级，相应的杂质称为浅能级杂质。5、杂质的补偿作用通常当温度达到大约100K以上时，施主能级上的ND-NA个电子就全部被激发到导带，这时导带中的电子浓度n0=ND-NA
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半导体中杂质和缺陷能级教学.ppt
12345678如何计算、分析半导体中，杂质的能级。这里介绍一种最简单的、实际上也是最重要的一类杂质能级──类氢杂质能级。在Si、Ge元素半导体和Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体等最重要的半导体材料中发现：加入多一个价电子的元素，如在Si、Ge中加入P、As、Sb，或在Ⅲ－Ⅴ族化合物中加入Ⅵ族元素，这些掺入的杂质将成为施主；加入少一个价电子的元素，如在Si、Ge中加入Al、Ga、In，或在Ⅲ－Ⅴ族化合物中加入Ⅱ族元素，这些掺入的杂质将成为受主；加入多一个价电子的替位式杂质原子，在填满价带（饱和周围成键原子的共价键）之
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半导体中杂质和缺陷能级.ppt
2.1硅、锗晶体中的杂质能级2.1硅、锗晶体中的杂质能级2.1硅、锗晶体中的杂质能级+42.1硅、锗晶体中的杂质能级2.1硅、锗晶体中的杂质能级被施主杂质束缚的电子的能量状态称为施主能级ED。施主能级位于离导带低很近的禁带中杂质原子间的相互作用可忽略，某一种杂质的施主能级是一些具有相同能量的孤立能级。2.1.3受主杂质受主能级空穴2.1硅、锗晶体中的杂质能级2.1硅、锗晶体中的杂质能级被受主杂质束缚的空穴的能量状态称为受主能级EA。施主能级位于离价带顶很近的禁带中杂质原子间的相互作用可忽略，某一种杂质的受
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半导体三极管讲解.ppt
4.1半导体三极管4.1.1BJT的结构简介4.1.1BJT的结构简介B三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。外部条件：发射结正偏集电结反偏2.电流分配关系（2）电流放大系数称为共发射极接法直流电流放大系数。同样，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般>>1(10~100)。共基极放大电路综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。实现这一传输过程的两个条件是：（1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂
2024-11-26
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半导体三极管解析.ppt
1、二极管（1）二极管的结构（2）二极管的伏安特性（3）二极管的开关特性存在反向恢复时间（4）二极管的电路模型直流模型（5）特殊二极管稳压二极管（6）二极管整流电路（精密整流电路）利用二极管的单向导电性2.2.1三极管的结构及工作原理2.2.2三极管的基本特性2.2.3三极管的主要参数及电路模型三极管的结构及工作原理从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的，实际上发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度低，且集电结面积大。基区要制造得很薄，其厚度一般在几个微米至几十个微米。按材料分：硅管、锗管2.三极管的电流
2024-11-26
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半导体三极管分解.ppt
半导体三极管半导体三极管(SemiconductorTransistor)二、电流放大原理3.三极管内部载流子的传输过程4.三极管的电流分配关系2.1.2晶体三极管的特性曲线二、输出特性三、温度对特性曲线的影响2.1.3晶体三极管的主要参数三、极限参数2.2单极型半导体三极管引言一、增强型N沟道MOSFET(MentalOxideSemi—FET)2.工作原理2)uDS对iD的影响(uGS>UGS(th))3.转移特性曲线二、耗尽型N沟道MOSFET三、P沟道MOSFET2.2.2结型场效应管2.工作原理
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半导体三极管okk讲解.ppt
第二章三极管及其共射极基本放大电路一、三极管的结构类型一、三极管的结构类型一、三极管的结构类型二、三极管的电流分配关系与放大作用2、三极管的电流分配关系（以NPN型管为例）表2-1三极管各电极电流分配情况二、三极管的电流分配关系与放大作用晶体管的电流分配关系动画演示三、三极管的特性曲线图2-7三极管输入特性曲线2.输出特性曲线四、三极管的主要参数四、三极管的主要参数五、三极管的型号命名规则六、光电三极管与光耦合器件六、光电三极管与光耦合器件六、光电三极管与光耦合器件六、光电三极管与光耦合器件六、光电三极管
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半导体SCC应用例下载.ppt
SlurrymixingsystemChemicaldeliverysystemloader/unloader装置内输送装置内输送Cleanersystem参考：高精度检测传感器参考：高精度的检测传感器
2024-11-26
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