半导体生产过程中废气的处理设备及方法.pdf

（19）中华人民共和国国家知识产权局（12）发明专利申请（10）申请公布号CN101234282A（43）申请公布日2008.08.06（21）申请号CN200710002563.4（22）申请日2007.01.29（71）申请人北京行者多媒体科技有限公司地址100086北京市海淀区中关村南大街2号数码大厦B-901北京行者多媒体科技有限公司（72）发明人李沅民;马昕（74）专利代理机构代理人（51）Int.CIB01D53/46;B01D53/76;权利要求说明书说明书幅图（54）发明名称半导体生产过程中废气的处理设备及方法（57）摘要本发明公开了一个新颖的使用燃煤炉处理硅烷的设备及方法，适用于半导体生产过程。在燃煤炉中穿孔的煤块被有规律地替换添加。被镀膜设备排出的废气进入煤的燃烧区域，含硅的材料这时候被热沉积在燃烧的煤的表面，或者和氧气反应生成二氧化硅而集聚在煤的表面。本发明的显著特点是在不可比拟的低成本下就能高效可靠地为真空镀膜系统处理废气。法律状态法律状态公告日法律状态信息法律状态2008-08-06公开公开2008-08-06公开公开2010-02-03实质审查的生效实质审查的生效2010-02-03实质审查的生效实质审查的生效2010-12-29文件的公告送达文件的公告送达2010-12-29文件的公告送达文件的公告送达2011-09-14文件的公告送达文件的公告送达2011-09-14文件的公告送达文件的公告送达发明专利申请公布后的视为撤发明专利申请公布后的视为撤2012-03-14回回发明专利申请公布后的视为撤发明专利申请公布后的视为撤2012-03-14回回权利要求说明书半导体生产过程中废气的处理设备及方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看说明书半导体生产过程中废气的处理设备及方法的说明书内容是....请下载后查看