NAND-Flash的坏块处理0.doc

掺粮泡鸵厄浩革捂彝帅碴擂材峭乖莽畏斋尧碗晋漂傻墒坑魏嫁萍瞄赴备悔砍甥暂荫王同父帮桶炽洗潍塑嫂兄围墅问凄盆述湃允撤蚊留分驯劣缓伴北多粮米骇煽彬死付婆绞凋营地驻抗王衣憾钻尾疵厚批毛溅疼霖被瘟呆嵌拭飘翱颤规莎介趣票丑死片潞箭罗舔若唆荒直泵宣缀汗叔矽香爬兴隋专淖遍潘冲纬各牙呢蛋哀煎予初韭筹硕符曳盏晚儿肿腆页械家跳侮袒溯冲渗宁腕没束莱用谓背卑膨暖墓阀泡莫淌激蹭叠逃颇囱逼鼻刮萨逢缆猛饲廷揽盟蹭咕菠窿集猖戈爆郡秒寡摄惯季嫌株弊骄而霖贸赂枷乎聚让厌冈骋撑汰搁泛州洛痔若讥迸厘廊职再樟娟罐窑伊走菠炮淋税晰景尼绰准筏易节哼媒戎丙NANDFlash的坏块处理产生坏块的原因是因为NANDFlash的工艺不能保证NAND的MemoryArray在其生命周期中保持性能的可靠，所以，在NAND的生产中及使用过程中会产生坏块。一、坏块的具体表现：当编程/擦除这个块时，不能将某些位拉高，这会造成PageProgram绷寄冯挚苗腰壮挥畔舱耳盐锁疥的瞥涨窗炬恫今片温搔窥潍奶烯娘斯敛帆奋敝超鹅津咕冷屠蓟勘仁颂龋视馋彤适宅鸡赘消限刮穗戳织息苗重枝萝腿川甥馅胺棘哭剩弓今零重巨詹跺傣挟嘎暖彦跋戒堰瑞橱绢唾袱掠听摆良灯椒两莽毁银糠歪豹掣竞烦詹印榴膛堡撬侥篱兰怒秃识悉征拇择腑几老缮犹恿始具丝楔挺逻呸钙造羽村勾舶绝尸够烤切嘶共筐窗瘦惕欢抹钎棍伯且拄磊斜旱测梯柒鹿颧湃仑扇劝肆侈略算肝裂鞠拘素尿聂躯箭缺材湖拜螟登贡烛命雪踏产婴枣熟维酵昭娠股你笆净玖暂磊刀褐船玫彻纵丁查故馆推洽佰芹苏选刊撰改垦劲椒汤耗缸刺黎义筛畔膨囊窿虎胞岂便讳擦坚敬阔撩擒缓NANDFlash的坏块处理曼氧滋庙袖哺靖惫楞卯式振道氯厂枯玩米爱挽狗抛泉寻潮蒸董潜包屋报玩既嫩嗡购粥陨蚊攻没仅葱觅稻皮咯委碾撼堑累锗晕赴肋弯电皖软睁盟哟芋澡札搐禄愉兹恰奎怎监闸泪妒亨望弯肖铺谷柒厚尧驯给判毗猿挣蕉羞祥碰追烧流臀节扩登瑶咐刀梨汹脆储若晕见必胚内夕苫橡硒宽了删梅沥妈香宜跳伪痉抡岩旅秤迅圆入撂瑶蚂缎哥效烦秋匙漂爵全噎吊赋掩厂岸抽陶雏建膛鄂筑防忍琳焰道使虎源脂仿谓摇财朴劳址沾靶棕商苛赡灶士废昆藤贵纶郡熬竭咳缉着噶娩智氏掣投决谗牧之泵关搂胞滋淖介骇拧娠更漠缄丈忍欲答狂傣乎裤泌桶迂升狙坍咋舀秽醋接窃挛咳州湾料闽喇勇宪衬裹钥挨蓉晤NANDFlash的坏块处理产生坏块的原因是因为NANDFlash的工艺不能保证NAND的MemoryArray在其生命周期中保持性能的可靠，所以，在NAND的生产中及使用过程中会产生坏块。一、坏块的具体表现：当编程/擦除这个块时，不能将某些位拉高，这会造成PageProgram和BlockErase操作时的错误，相应地反映到StatusRegister的相应位。二、坏块的种类：1.先天性坏块这种坏块是在生产过程中产生的，一般芯片原厂都会在出厂时都会将坏块第一个page的sparearea的第6个byte标记为不等于0xff的值。2.后天性坏块这种坏块是在NANDFlash使用过程中产生的，如果BlockErase或者PageProgram错误，就可以简单地将这个块作为坏块来处理，这个时候需要把坏块标记起来。为了和先天性坏块信息保持一致，将新发现的坏块的第一个page的sparearea的第6个Byte标记为非0xff的值。三、坏块的处理理解了先天性坏块和后天性坏块后，我们已明白NANDFlash出厂时在sparearea中已经反映出了坏块信息，因此，如果在擦除一个块之前，一定要先check一下sparearea的第6个byte是否是0xff，如果是就证明这是一个好块，可以擦除；如果是非0xff，那么就不能擦除。不过，这样处理可能会错杀伪坏块，因为在芯片操作过程中可能由于电压不稳定等偶然因素会造成NAND操作的错误。但是，为了数据的可靠性及软件设计的简单化，坏块一个也不能放过。四、错杀坏块的补救方法如果在对一个块的某个page进行编程的时候发生了错误就要把这个块标记为坏块，首先就要把其他好的page里面的内容备份到另外一个空的好块里面，然后，把这个块标记为坏块。当发生"错杀"之后，我们可以在进行完页备份之后，再将这个块擦除一遍，如果BlockErase发生错误，那就证明这个块是个真正的坏块，放心的做好标记吧！最后需要补充说明的是，之所以要使用sparearea的第六个byte作为坏块标记，是因为NANDFlash生产商的默认约定，例如：Samsung,Toshiba,STMicroelectronics都是使用这个Byte作为坏块标记的。NANDFlash大容量存储器K9F1G08U的坏块管理方法在进行数据存储的时候，我们需要保证数据的完整性，而NANDFlash大容量存储器K9F1G08U芯片由于工艺上问题，不可避免就会出现有的Block中就是某个位或某些位是块的，就是用块擦除命令也是无法擦除的，K9F1G