掺杂石墨烯的电磁屏蔽特性研究.docx

掺杂石墨烯的电磁屏蔽特性研究掺杂石墨烯的电磁屏蔽特性研究引言石墨烯是一种由sp2杂化碳原子组成的二维碳材料，独特的六角晶格结构赋予其独特的光电、力学性能。理想单层石墨烯的禁带宽度为零，载流子迁移速率高达200000cm2/（V·s），在可见及近红外波段的透过率约为97.7%。这些优异性质使其可作为光学透明窗口表面的电磁屏蔽材料[1-2]。目前，利用化学气相沉积（CVD）法已可实现大面积、高质量、层数可控、带隙可调石墨烯薄膜的制备。2009年Li等[3]利用CVD法在铜箔表面制备出大面积单层石墨烯，同年REina等[4]也在1～2cm2的多晶Ni膜上利用热CVD法合成了单层至多层石墨烯，并成功转移到多种基底表面。但上述方法制备的石墨烯薄膜通常存在晶界效应及载流子浓度过低方面的不足，使其电导率还不能满足实际屏蔽需求。本文以CVD法制备了单层石墨烯透明导电薄膜，分析了AuCl3掺杂对改善石墨烯的载流子浓度及电导率影响。同时，利用传输线理论建立石墨烯各向异性介质的电磁屏蔽模型，并根据具体参数对透光薄膜进行宽波段屏蔽效能计算。最后将实验结果与理论值进行比较，分析二者存在差异的原因。1AuCl3掺杂石墨烯薄膜制备大面积石墨烯的制备是利用现已报道过的CVD法。反应以甲烷为碳源，选用25μm厚的铜箔为基底。反应时将高温退火过的铜箔置于直径22mm的石英反应室中央，以标准状态300ml/min的速度通入氩气和氢气，同时以1ml/min的速度通入甲烷。反应时间为10min，期间石英反应室的温度保持在1000℃。反应结束后经快速降温，将样品冷却到室温，期间持续通入保护气体。通过改变冷却速度可控制生长石墨烯层的厚度，实验得到的石墨烯薄膜大部分为1～2层。为方便石墨烯屏蔽效能测试，需将石墨烯转移至聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）基底表面。石墨烯转移是利用聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）转移法：将PMMA胶均匀涂在石墨烯层表面，将基底面在150℃加热15min。第一次刻蚀，将样品放入0.1g/ml的Fe（NO3）3溶液腐蚀2h，使Cu与石墨烯/PMMA基底分离。第二次刻蚀，去除石墨烯表面剩余的Cu层，将石墨烯/PMMA样品放入10%HCl刻蚀液中1h，石墨烯/PMMA将漂浮在刻蚀液表面。利用已准备好的PET基底将石墨烯/PMMA膜捞起，利用退火法或丙酮刻蚀可将石墨烯表面的PMMA去除。AuCl3常用于导电高聚合物的掺杂，如果将石墨烯看作是拥有共轭π电子的聚合物，那么其AuCl3掺杂机理将与上述聚合物类似。将AuCl3溶解在不同的配位体溶剂中，会形成不同的离子构象，既可存在平面正方形几何结构AuCl-4离子也可存在AuCl-2。本文中利用硝基甲烷溶剂作为配位体，此时将发生以下反应实验时在石墨烯层面涂覆2.5×10-3mol/L的AuCl3的硝基甲烷溶液，用离心机使其旋涂均匀，干燥，最终形成AuCl3掺杂石墨烯薄膜，如图1所示。图2为AuCl3掺杂前后石墨烯的拉曼光谱图，测试时分别选择样品表面的不同区域以证明石墨烯薄膜的连续性。掺杂后石墨烯的拉曼谱[6]依然存在D峰、G峰、2D峰：D峰较掺杂前有少许提高，说明掺杂对晶格结构影响较小；G峰与2D峰的峰值比I2D/IG=1.6>1，石墨烯层数小于两层；同时G峰、2D峰都有相对10cm-1的蓝移，表明AuCl3对石墨烯的掺杂类型为P型；掺杂后6天再次对样品进行表征，拉曼谱没有明显的变化。利用四探针法测量掺杂前后石墨烯的面电阻值分别为560Ω/□和165Ω/□，说明掺杂对石墨烯导电性有明显提高。2石墨烯传输线理论推导根据各向异性介质的传输线理论，建立石墨烯平面波作用模型[7]，如图3所示。图3平面波作用在石墨烯表面等效模型以TE波为例，并将θ等效为零来简化计算，此时V（0）=（1+Γ）Vi，其中反射系数Γ为（Y0-Yboth）/（Y0+Yboth），Yboth=Y1+Y0+Y2。根据屏蔽效能的计算公式：SE=-20lgE/Ei，TE波的屏蔽效能可以写成如下形式：T（0）=2/2+η0σD（12）同理可证TM波与TE波结果一致。3薄膜样品电磁屏蔽性能分析参照GJBA6190-2008中的屏蔽室法[12]，对尺寸大小为300mm×300mm的AuCl3掺杂石墨烯薄膜样品进行屏蔽效能检测。在相同激励源的条件下，通过对加入可视屏蔽介质前后接收天线信号的差值进行比较，得到屏蔽材料的屏蔽效能。实验中由R&SSMR微波信号源提供1～18GHz的连续波，AgilentESA-E频谱分析仪作为接收端，完成宽波段范围内的扫频测试。测试时需对窗口材料边缘做导电处理，其测试示意图如图6所示。利用文献[13]中化学势与载流子浓度的关系，得到室温300K下本征石墨烯与掺杂石墨烯的分别为0.02eV与0.07eV，将其代入式（10）与式（12）中得到1