国际先进的感应淬火技术样本.doc
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1、电源国外IGBT、MOSFET和SIT全固态晶体管电源技术逐步成熟,并已商品化、系列化,目前有1200kW、50kHz;50~100kHz、30~600kW;300kW、80kHz;低频段有取代晶闸管电源趋势;MOSFET多采用并联振荡电路,SIT多采用串联谐振电路,功率高达1000kW、频率200kHz和400kW、400kHz。它们都是电子管式高频电源的抱负替代产品。当输出功率与电子管电源相同时,节电35%~40%,节省安装面积50%,节约冷却水40%~50%。随着科技的进步,在高频感应淬火领域,
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1、电源国外IGBT、MOSFET和SIT全固态晶体管电源技术逐步成熟,并已商品化、系列化,目前有1200kW、50kHz;50~100kHz、30~600kW;300kW、80kHz;低频段有取代晶闸管电源趋势;MOSFET多采用并联振荡电路,SIT多采用串联谐振电路,功率高达1000kW、频率200kHz和400kW、400kHz。它们都是电子管式高频电源的理想替代产品。当输出功率与电子管电源相同时,节电35%~40%,节省安装面积50%,节约冷却水40%~50%。随着科技的进步,在高频感应淬火领域,
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1、电源国外IGBT、MOSFET和SIT全固态晶体管电源技术逐步成熟,并已商品化、系列化,目前有1200kW、50kHz;50~100kHz、30~600kW;300kW、80kHz;低频段有取代晶闸管电源趋势;MOSFET多采用并联振荡电路,SIT多采用串联谐振电路,功率高达1000kW、频率200kHz和400kW、400kHz。它们都是电子管式高频电源的理想替代产品。当输出功率与电子管电源相同时,节电35%~40%,节省安装面积50%,节约冷却水40%~50%。随着科技的进步,在高频感应淬火领域,
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1、电源国外IGBT、MOSFET和SIT全固态晶体管电源技术逐步成熟,并已商品化、系列化,目前有1200kW、50kHz;50~100kHz、30~600kW;300kW、80kHz;低频段有取代晶闸管电源趋势;MOSFET多采用并联振荡电路,SIT多采用串联谐振电路,功率高达1000kW、频率200kHz和400kW、400kHz。它们都是电子管式高频电源的理想替代产品。当输出功率与电子管电源相同时,节电35%~40%,节省安装面积50%,节约冷却水40%~50%。随着科技的进步,在高频感应淬火领域,