模拟电子技术基础(李国丽)第一章习题答案.pdf

百学须先立志。——朱熹1半导体二极管自我检测题一．选择和填空1．纯净的、结构完整的半导体称为本征半导体，掺入杂质后称杂质半导体。若掺入五价杂质，其多数载流子是电子。2．在本征半导体中，空穴浓度C电子浓度；在N型半导体中，空穴浓度B电子浓度；在P型半导体中，空穴浓度A电子浓度。（A．大于，B．小于，C．等于）3.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于C，而少数载流子的浓度与A关系十分密切。（A．温度，B．掺杂工艺，C．杂质浓度）4.当PN结外加正向电压时，扩散电流A漂移电流，耗尽层E；当PN结外加反向电压时，扩散电流B漂移电流，耗尽层D。（A．大于，B．小于，C．等于，D．变宽，E．变窄，F不变）5．二极管实际就是一个PN结，PN结具有单向导电性，即处于正向偏置时，处于导通状态；反向偏置时，处于截止状态。6.普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_B，反向电流一般_C_；普通小功率锗二极管的正向导通压降约为_A_，反向电流一般_D_。（A．0.1～0.3V，B．0.6～0.8V，C．小于1μA，D．大于1μA）已知某二极管在温度为℃时的伏安特性如图选择题中实线所示，在温度为7.257T1时的伏安特性如图中虚线所示。在25℃时，该二极管的死区电压为0.5伏，反向击穿电压为伏，反向电流为-6安培。温度小于℃。（大于、小于、等于）16010T125imA3025oCT20110150100500v/V0.51-0.001-0.002-0.003图选择题7vV8．PN结的特性方程是iI(eT1)。普通二极管工作在特性曲线的正向区；稳S压管工作在特性曲线的反向击穿区。二．判断题（正确的在括号内画√，错误的画×）良辰美景奈何天，便赏心乐事谁家院。则为你如花美眷，似水流年。——《汤显祖》大丈夫处世，不能立功建业，几与草木同腐乎？——《罗贯中》1．N型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。（×）2．在P型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N型半导体。（√）3．P型半导体带正电，N型半导体带负电。（×）4．PN结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。（√）5．由于PN结交界面两边存在电位差，所以当把PN结两端短路时就有电流流过。（×）6．PN结方程既描写了PN结的正向特性和反向特性，又描写了PN结的反向击穿特性。（×）7．稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态（√），它不允许工作在正向导通状态（×）。习题1.1图题1.1各电路中，v5Sinωt(V)，忽略D的导通压降和死区电压，画出各电路相应i的输出电压波形。voDvRviLoto(a)DvoviRLvoto10V(b)DvoviRvLoto10V(c)图题1.1解：（）图中，时，二极管截止，；时，二极管导通，。avi>0vo=0vi<0vo=vivOV2t05（）图中，二极管导通，。bvo=vi+10万两黄金容易得，知心一个也难求。——《曹雪芹》先天下之忧而忧，后天下之乐而乐。——范仲淹vOV151052t0（）图中，二极管截止，。cvo=0vOVvO=0t0求图题所示电路中流过二极管的电流和点对地电压。设二极管的正向1.21.2IDAVA导通电压为0.7V。+10V+10VR2kR120k1IIADADDR10kDR10k22R3k3-6V-6V(a)(b)图题1.2解：（a）V60.75.3VA10V0VIAA1.3mADRR1210VV(6)V0.7（b）AAARRR123得V4.96VAV0.7IA1.42mADR3电路如图题所示，已知为锗二极管，其死区电压＝，正向导通压降为1.331.3D1Vth0.2V；为硅二极管，其死区电压为＝，正向导通压降为。求流过、的电0.3VD2Vth0.5V0.7VD1D2流和。I1I210kII1210010015VDD12图题1.3解：由于的死区电压小于的死区电压，应该先导通。设通、截止，此D1D2D1D1D2时以家为家，以乡为乡，以国为国，以天下为天下。——《管子·牧民》以铜为镜，可以正衣冠；以古为镜，可以知兴替；以人为镜，可以明得失。——《旧唐书·魏征列传》150.3IA1.46mA110103100两端电压＝×＋＝D2I11000.30.45V小于的开启电压，所以截止，因此D2D2＝I201.4设二极管的正向导通压降可以忽略不计，反向饱和电流为10μA，反向击穿电压为30V，并假设一旦击穿反向电压保持30V不变，不随反向击穿电流而变化。求图题1.4中各电路的电流I。I5kI5kDD1110V10VDD22(a)(b)I5kI5kD1DD40V40V12D2(c)(d)图题1.4解：（a）图中，