(完整版)电工学(下册)电子技术基础第3章习题解答.pdf

·120·第3章晶体三极管及其放大电路第3章晶体三极管及其放大电路3.1测得放大电路中的晶体三极管3个电极①、②、③的电流大小和方向如图3.1所示，试判断晶体管的类型（NPN或PNP），说明①、②、③中哪个是基极b、发射极e、集电极c，求出电流放大系数。图3.1习题3.1图解：(a)①-c②-b③-ePNPβ=1.2/0.03=40(b)①-b②-e③-cNPNβ=1.5/0.01=150试判断图所示电路中开关放在、、哪个位置时的最大；放在哪个位3.23.2S123IB置时的最小，为什么？IBIBVT③①R②b+V+VCCBB图3.2习题3.2图解：在①时，发射极相当于一个二级管导通，此时就等于此导通电流。IB在②时，三极管相当于两个并联的二极管，此时等于两个二级管导通电流之和，所IB以此时的电流最大。在③时，发射极导通，集电结反偏，集电结收集电子，所以电流下降，此时电流最IB小。3.3.测得某放大电路中晶体三极管各极直流电位如图3.3所示，判断晶体管三极管的类型（NPN或PNP）及三个电极，并分别说明它们是硅管还是锗管。解：(a)①-e②-c③-b硅NPN(b)①-b②-c③-e锗PNP(c)①-b②-e③-c锗PNP第3章晶体三极管及其放大电路·121·图3.3习题3.3图3.4用万用表直流电压挡测得晶体三极管的各极对地电位如图3.4所示，判断这些晶体管分别处于哪种工作状态（饱和、放大、截止或已损坏）。0V1.1V－5V硅管锗管硅管－3V1.3V－1.3V－2.7V1V－0.6V(a)(b)(c)－0.1V－9V6V锗管硅管硅管－0.3V－5V3V0V－6V0V(d)(e)(f)图3.4习题3.4图解：(a)截止(b)饱和(c)放大(d)饱和(e)截止(f)损坏某晶体管的极限参数为、、，若它的工作3.5ICM=20mAPCM=200mWU(BR)CEO=15V电流，那么它的工作电压不能超过多少？若它的工作电压，那么它IC=10mAUCEUCE=12V的工作电流不能超过多少？ICP200解：UminU,CMmin15,15(V)CE(BR)CEOI10CP200IminI,CMmin20,16.67(mA)CCMU12CE3.6图3.5所示电路对正弦信号是否有放大作用？如果没有放大作用，则说明理由并将错误加以改正（设电容的容抗可以忽略）。解：(a)无放大作用。电容C使得集电结反偏不成立。应将电容C改为阻值合适的电阻。无放大作用。使得交流输入信号无法加到三极管上。应在此支路串联一阻值合(b)VBB适的电阻。无放大作用。三极管要求，同时电容使得发射结正偏不成立。应(c)PNPVC<VB<VEC将的改为－，同时将电容取消。VCC+12V12VC无放大作用。发射极正偏不成立。将电阻接地那一端改为接到。(d)RbVCC·122·第3章晶体三极管及其放大电路图3.5习题3.6电路图确定图所示电路中的静态工作点和的值3.73.6ICQUCEQ图3.6习题3.7电路图VU120.7解：(a)ICCBE(on)22.6(μA)BQR500bII3.39(mA)CQBQUVIR123.3918.61(V)CEQCCCQC1.8(b)V102.77(V)BQ4.71.8VU2.770.7IIBQBE(on)1.88(mA)CQEQR1.1eU101.88(31.1)2.29(V)CEQ第3章晶体三极管及其放大电路·123·3.8在图3.6（a）所示电路中，假设电路其它参数不变，分别改变以下某一项参数时：（）增大；（）增大；（）增大。试定性说明放大电路的、和将增大、1Rb2VCC3IBQICQUCEQ减小还是基本不变。解：↑↑↑RbVCCβVUICCBE(on)↓↑不变BQRbIICQBQ↓↑↑UVIRCEQCCCQCVU↑↑↓VCCBE(on)CCRb3.9图3.7所示为放大电路的直流通路，晶体管均为硅管，判断它的静态工作点位于哪个区（放大区、饱和区、截止区）。+V(+5V)CCV(-12V)+V(+12V)CCRCCbRRRRccb2kcΩ100kΩ10kΩ300kΩ3kΩVTVTVTβ=200β=100β=40RbR2kΩeRe2kΩ500Ω1V(a)(b)(c)图3.7习题3.9电路图解：(a)发射结正偏导通，假设处于放大区50.7I8.57(μA)BQ1002012II1.71(mA)CQBQU5I(RR)15.56(V)CEQCQce∴假设错误，三极管处于饱和区。(b)发射结正偏导通，假设处于放大区120.7I32.2(μA)BQ3001010.5II