应变片单臂电桥性能实验.pdf

.塔里木大学课程实验报告课实验日2015年11月程期2日传感器原理与应用班级计算机17-3名称5011213318、实验成姓杨静、姚丽、黄婷学号5011213313、绩名5011213325实验应变片单臂电桥性能实验名称了解电阻应变片的工作原理与应用并掌握应变片测量电路实验目的及要求实1.CSY－3000型传感器与检测技术实验台验2.需用器件与单元：主机箱中的±2V～±10V（步进可调）直流稳压电源、±15V直流稳教育资料.环压电源、电压表；应变式传感器实验模板、托盘、砝码；41位数显万用表。2境1.测量应变片的阻值实重量020406080100120140160180200（g）验350.350.350350350350350350350350350内电阻R14648.49.50.52.53.55.56.58.60.61（欧容姆）重量020406080100120140160180200（g）350.350.350350350350350350350350350电阻R25553.52.51.50.48.46.44.42.41.39（欧姆）重量020406080100120140160180200（g）350.350.350350350350350350350350350电阻R34244.45.46.48.50.52.53.55.57.58（欧教育资料.姆）重量020406080100120140160180200（g）350.350.350350350350350350350350350电阻R48281.80.78.77.75.74.72.71.69.68（欧姆）2.差分放大器调零1、应变片的电阻应变效应所谓电阻应变效应是指具有规则外形的金属导体或半导体材料在外力作用下产生应变而其电阻值也会产生相应地改变，这一物理现象称为“电阻应变效应”。以圆柱形导体算为例：设其长为：L、半径为r、材料的电阻率为ρ时，根据电阻的定义式得法描述及实验步骤（1—1）当导体因某种原因产生应变时，其长度L、截面积A和电阻率ρ的变化为dL、dA、dρ相应的电阻变化为dR。对式（1—1）全微分得电阻变化率dR/R为：教育资料.（1—2）式中：dL/L为导体的轴向应变量ε;dr/r为导体的横向应变量εLr由材料力学得：ε=-με(1—3)Lr式中：μ为材料的泊松比，大多数金属材料的泊松比为0.3～0.5左右；负号表示两者的变化方向相反。将式（1—3）代入式（1—2）得：（1—4）式（1—4）说明电阻应变效应主要取决于它的几何应变（几何效应）和本身特有的导电性能（压阻效应）。2、应变灵敏度教育资料.它是指电阻应变片在单位应变作用下所产生的电阻的相对变化量。(1)、金属导体的应变灵敏度K：主要取决于其几何效应；可取（1—5）其灵敏度系数为：k=金属导体在受到应变作用时将产生电阻的变化，拉伸时电阻增大，压缩时电阻减小，且与其轴向应变成正比。金属导体的电阻应变灵敏度一般在2左右。(2)、半导体的应变灵敏度：主要取决于其压阻效应；dR/R<≈dρρ。半导体材料之所以具有较大的电阻变化率，是因为它有远比金属导体显著得多的压阻效应。在半导体受力变形时会暂时改变晶体结构的对称性，因而改变了半导体的导电机理，使得它的电阻教育资料.率发生变化，这种物理现象称之为半导体的压阻效应。不同材质的半导体材料在不同受力条件下产生的压阻效应不同，可以是正（使电阻增大）的或负（使电阻减小）的压阻效应。也就是说，同样是拉伸变形，不同材质的半导体将得到完全相反的电阻变化效果。半导体材料的电阻应变效应主要体现为压阻效应，其灵敏度系数较大，一般在100到200左右。3、贴片式应变片应用在贴片式工艺的传感器上普遍应用金属箔式应变片，贴片式半导体应变片（温漂、稳定性、线性度不好而且易损坏）很少应用。一般半导体应变采用N型单晶硅为传感器的弹性元件，在它上面直接蒸镀扩散出半导体电阻应变薄膜（扩散出敏感栅），制成扩散型压阻式（压阻效应）传感器。＊本实验以金属箔式应变片为研究对象。4、箔式应变片的基本结构金属箔式应变片是在用苯酚、环氧树脂等绝缘材料的基板上，粘贴直径为0.025mm左右的金属丝或金属箔制成，如图1—1所示。(a)丝式应变片(b)箔式应变片图1—1应变片结构图金属箔式应变片就是通过光刻、腐蚀等工艺制成的应变敏感元件，与丝式应变片工作原理相同。电阻丝在外力作用下发生机械变形时，其电阻值发生变化，这就是电阻应变效应，描述电阻应变效应的关系式为：ΔR／R＝Kε式中：ΔR／R为电阻丝电阻相教育资料.对变化，K为应变灵敏系数,ε=ΔL/L为电阻丝长度相对变化。5、测量电路为了将电阻应变式传感器的电阻变化转换成电压或电流信号，在应用中一般采用电桥电路作为其测量电路。电桥电路具有结构简单、灵敏度高、测量范围