硕士论文-深亚微米工艺下芯片的IDDQ测试技术的研究及应用.pdf

华东师范大学硕士学位论文深亚微米工艺下芯片的IDDQ测试技术的研究及应用姓名：曹福全申请学位级别：硕士专业：微电子学与固体电子学指导教师：石艳玲20080401摘要mDQ测试理论一经提出，便引起了集成电路领域的广泛关注。作为有效的VLSI测试手段，IDDQ测试在检测芯片的物理缺陷，提高测试覆盖率，裸芯片的筛选，芯片的老化检验等方面发挥着巨大作用。深亚微米时代的DDQ测试技术有别于传统意义的DDQ，虽然新的IDDQ测试方法仍然以芯片电源电流为研究对象，但它不再象传统IDDQ测试方法一样简单增加数十个电流测量点来仅仅完成对芯片物理缺陷的筛选，而是辅助于EDA工具，并根据其支持的故障模型生成高故障覆盖率的测试向量表，完成高密度的与芯片状态相关的电流点的测量；其测试数据的处理方法也不再局限于传统IDDQ的单一阈值比较法，而是应用多种统计学处理方法，消除测量数据中的干扰因素，突出与器件内部状态密切相关的电流变化，并以此变化为依据，实现事实证明，良好的IDDQ测试解决方案不仅是对功能测试，扫描测试的有效补充，很多的时候可以取代甚至超越上述测试手段，国外的科研人员已对此展开了诸多深入研究，而国内，由于VLSI测试技术相对落后，缺乏对复杂芯片的测现的高清电视视频处理芯片，实现深亚微米工艺芯片下多种方法mDQ的测试，讨论，在测试过程中提出了很多创新性的改进办法，如应用差分计算来筛选高质量且稳定的电流测试向量；采用多种筛选方法对用于计算阈值的样本芯片的进行筛选，剔除掉行为异常的样本芯片，确保高质量的阈值计算；采用归一化的数据处理方法消除数据自身的干扰，突出数据之间的差异等。通过成功地实现了真正意义上地深亚微米工艺下芯片的IDDQ测试，有效地减少了芯片测试成本，降低了芯片失效率，从而为国内该领域的测试技术提供了有价值的研究成果。mDQ测试技术深亚微米工艺技术芯片高故障覆盖率物理缺陷测试向量序列电流比差分IDDQ归一化相关性对芯片的判定。试能力，在加上深亚微米时代新的IDDQ测试方法应用复杂等原因，对IDDQ测试的研究及应用较少，尚无对此的公开研究报道。本文在深入分析IDDQ测试原理的基础上，针对先进的0．18∥m工艺技术实通过对样本芯片测试结果的比较，提出了一套针对此芯片的高效的深亚微米工艺IDDQ辅助测试解决方案，并根据解决方案中可能影响测试结果的多种因素进行关键词：华东师范大学硕士学位论文深亚微米工艺下芯片的IDDQ测试技术的研究及应用VmDQ丘砌DSMit伽Ver)r咖Tcntth咖．1飞ere盯es锄ple出psdiffercnt劬me虢ctiVenisno咖alizedRatio，△IDDQ，no咖alize，Co玎clationAbstractw弱brouglltiIldustⅨAsphysicalDDQ．～thou曲tllethe劬ditionalhi曲faultDDQ，butgiVeabroad'、妇ileC0umⅨbec祧seDDQs叩eration，notllcoⅨthroughdeVicc，hi曲faultc0Veragc，physicalsi印jc；mtf乱ltdic觚dctlllr锄t弱studyobjection，ittools觚dsin舀efunctiontest柚drcplace勰din—d印thtech设limited，柚ddeep锄alysicchips，舳d锄dmethod．Second，higllw勰h觚dledIDDQfor伊eatconcemof勰sistanttesting，IDDQbumillgmethodmodelpattems1inlit弱thef如mprominenccthat，complementar)rrequirementcomplexityb弱edcomparinge丘酏tiVediscu踮dboutmethodS：ljmitsdcfe笛eingiIlcre硒eingKeymethod，DsMⅥ华东师范大学硕士学位论文深亚微米工艺下芯片的IDDQ测试技术的研究及应用Onccthetestingthcor)rup，itcausediIlICeff；ectiVeplaysroleindctectillgchipsdcfect，increasingc0Veragc，scrceniIIgnal【cdofchips．istlletraditionalnewstilltal【edoesn’tsimplyincreaseseVeralpointslikeway，butwithhelpEEIAaccordingfaultcrcatingc0Verage，achieVehighdensitiedpointS．AnditaccomplishtllroughcomparatitionapplymuhiIIle