三相逆变器中IGBT的几种驱动电路的分析.doc

三相逆变器中IGBT的几种驱动电路的分析1前言电力电子变换技术的发展，使得各种各样的电力电子器件得到了迅速的发展。20世纪80年代，为了给高电压应用环境提供一种高输入阻抗的器件，有人提出了绝缘门极双极型晶体管（HYPERLINK"http://www.dzsc.com/icstock/124/IGBT.html"\t"_blank"IGBT）[1>。在HYPERLINK"http://www.dzsc.com/icstock/124/IGBT.html"\t"_blank"IGBT中，用一个MOS门极区来控制宽基区的高电压双极型晶体管的电流传输，这就产生了一种具有功率HYPERLINK"http://www.dzsc.com/icstock/283/MOSFET.html"\t"_blank"MOSFET的高输入阻抗与双极型器件优越通态特性相结合的非常诱人的器件，它具有控制功率小、开关速度快和电流处理能力大、饱和压降低等性能。在中小功率、低噪音和高性能的电源、逆变器、不间断电源（UPS）和交流电机调速系统的设计中，它是目前最为常见的一种器件。功率器件的不断发展，使得其驱动电路也在不断地发展，相继出现了许多专用的驱动集成电路。HYPERLINK"http://www.dzsc.com/icstock/124/IGBT.html"\t"_blank"IGBT的触发和关断要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压，栅极电压可由不同的驱动电路产生。当选择这些驱动电路时，必须基于以下的参数来进行：器件关断偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。图1为一典型的HYPERLINK"http://www.dzsc.com/icstock/124/IGBT.html"\t"_blank"IGBT驱动电路原理示意图。因为HYPERLINK"http://www.dzsc.com/icstock/124/IGBT.html"\t"_blank"IGBT栅极发射极阻抗大，故可使用HYPERLINK"http://www.dzsc.com/icstock/283/MOSFET.html"\t"_blank"MOSFET驱动技术进行触发，不过由于HYPERLINK"http://www.dzsc.com/icstock/124/IGBT.html"\t"_blank"IGBT的输入电容较HYPERLINK"http://www.dzsc.com/icstock/283/MOSFET.html"\t"_blank"MOSFET为大，故HYPERLINK"http://www.dzsc.com/icstock/124/IGBT.html"\t"_blank"IGBT的关断偏压应该比许多HYPERLINK"http://www.dzsc.com/icstock/283/MOSFET.html"\t"_blank"MOSFET驱动电路提供的偏压更高。广告插播信息维库最新热卖芯片：HYPERLINK"http://www.dzsc.com/stock-ic/FX602D4.html"\t"_blank"FX602D4HYPERLINK"http://www.dzsc.com/stock-ic/ICM7555.html"\t"_blank"ICM7555HYPERLINK"http://www.dzsc.com/st