

GaN基异质结缓冲层漏电研究的开题报告.docx
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GaN基异质结缓冲层漏电研究的开题报告.docx
GaN基异质结缓冲层漏电研究的开题报告开题报告题目:GaN基异质结缓冲层漏电研究摘要:近年来,广泛使用的功率电子器件中GaN材料的应用越来越多,GaN异质结缓冲层是GaN器件的关键部分。然而,GaN异质结缓冲层的漏电现象是制约其发展的一个重要问题。本文旨在通过对GaN异质结缓冲层漏电机理及其影响因素进行研究,提高GaN器件的性能和稳定性。关键词:GaN异质结缓冲层,漏电,功率电子器件研究背景:GaN材料比传统的硅材料具有更高的导电能力和更高的工作温度,因此在功率电子器件中广泛使用,如LED灯、电子变压器、
GaN基异质结缓冲层漏电研究的开题报告.docx
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