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第六章化学气相淀积概述概述6.1.1CVD基本过程①传输:反应剂从气相(平流主气流区)经附面层(边界层)扩散到(Si)表面;②吸附:反应剂吸附在表面;③化学反应:在表面进行化学反应,生成薄膜分子及副产物;④淀积:薄膜分子在表面淀积成薄膜;⑤脱吸:副产物脱离吸附;⑥逸出:脱吸副产物和未反应反应剂从表面扩散到气相(主气流区),逸出反应室。CVD传输和反应步骤图6.1CVD模型6.1CVD模型6.1.3Grove模型6.1CVD模型6.1.3Grove模型6.1CVD模型6.1CVD模型6.1CVD模型6.1CVD模型②淀积速率与温度关系低温下,hg>>ks,反应控制过程,故G与T呈指数关系;高温下,hg<<ks,质量输运控制过程,hg对T不敏感,故G趋于平稳。6.2CVD系统6.2CVD系统6.2CVD系统6.2.4CVD技术常压化学气相淀积6.2.4CVD技术低压化学气相淀积6.2.4CVD技术等离子体化学气相淀积二、各种CVD方法6.3CVD多晶硅6.2.4CVD技术6.3CVD多晶硅6.4CVD二氧化硅6.4CVD二氧化硅6.4CVD二氧化硅6.4CVD二氧化硅6.4CVD二氧化硅6.5CVDSi3N46.5CVDSi3N46.6金属CVD6.6.1钨CVD