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硅光电池硅光电池是一个直接把光能转换成电能半导体器件。它结构很简单，关键部分是一个大面积PN结，把一只透明玻璃外壳点接触型二极管与一块微安表接成闭合回路，当二极管管芯（PN结）受到光照时，你就会看到微安表表针发生偏转，显示出回路里有电流，这个现象称为光生伏特效应。光生伏特效应当光照射在硅光电池PN结区时，会在半导体中激发出光生电子一空穴对。PN结两边光生电子一空穴对，在内电场作用下，属于多数载流子不能穿越阻挡层，而少数载流子却能穿越阻挡层。结果，P区光生电子进入N区，N区光生空穴进入p区，使每个区中光生电子一空穴对分割开来。光生电子在N区集结使N区带负电，光生电子在p区集结使P区带正电。P区和N区之间产生光生电动势。当硅光电池接人负载后，光电流从P区经负载流至NE，负载中即得到功率输出。分类晶体硅光电池：晶体硅光电池有单晶硅与多晶硅两大类，用P型（或n型）硅衬底，经过磷（或硼）扩散形成Pn结而制作成。采取埋层电极、表面钝化、强化陷光、密栅工艺、优化背电极及接触电极等技术，提升材料中载流子搜集效率，优化抗反射膜、凹凸表面、高反射背电极等方式，光电转换效率有较大提升。单晶硅光电池面积有限，当前比较大为∮10至20cm圆片，年产能力46MW/a。非晶体硅光电池：a-Si（非晶硅）光电池普通采取高频辉光放电方法使硅烷气体分解沉积而成。因为分解沉积温度低，可在玻璃、不锈钢板、陶瓷板、柔性塑料片上沉积约1μm厚薄膜，易于大面积（0.5m×1.0m），成本较低，多采取pin结构。为提升效率和改进稳定性，有时还制成三层pin等多层叠层式结构，或是插入一些过渡层。其商品化产量连续增加，年产能力45MW／a，10MW生产线已投入生产，全球市场用量每个月在1千万片左右，居薄膜电池首位。多晶硅光电池：p-Si（多晶硅，包含微晶）光电池没有光致衰退效应，材料质量有所下降时也不会造成光电池受影响。大面积低温p-Si膜与-Si组成叠层电池结构，是提升a-S光电池稳定性和转换效率主要路径，可更充分利用太阳光谱。硅太阳能电池三种类型对比硅光电池应用12/1913/19依据硅光电池输出特征，将其单体串联或并联成阵列结构，形成硅光电池多极电池组，经过位移——脉冲变换电路，就能实现数控机床高精度加工控制及准停。提升长光栅检测装置分辨率方法一样适合用于圆光栅测量角位移。硅光电池在医学上应用电子脉搏计17/19电子血氧计谢谢观赏