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IntroductionofCMP目录CMP发展史CMP制程的全貌简介CMP机台的基本构造(I)CMP机台的基本构造(II)Mirra机台概貌Teres机台概貌线性平坦化技术IntroductionofCMP研磨皮带上的气孔设计(Air-beltdesign)F-Rex200机台概貌终点探测图(STICMPendpointprofile)为什么要做化学机械抛光(WhyCMP)?没有平坦化之前芯片的表面形态没有平坦化情况下的PHOTO各种不同的平坦化状况平坦化程度比较StepHeight(高低落差)&LocalPlanarity(局部平坦化过程)初始形貌对平坦化的影响CMP制程的应用CMP制程的应用STI&OxideCMP所谓OxideCMP包括ILD(Inter-levelDielectric)CMP和IMD(Inter-metalDielectric)CMP,它主要是磨氧化硅(Oxide),将Oxide磨到一定的厚度,从而达到平坦化。OxideCMP的前一站是长Oxide的CVD区,后一站是Photo区。W(钨)CMP流程-1POLYCMP流程简介-2aROUGHPOLYCMP流程-2bCMP耗材CMP耗材的种类CMP耗材的影响IntroductionofCMPIntroductionofCMPIntroductionofCMPIntroductionofCMP~End~