半导体工艺-晶圆清洗.doc
胜利****实阿
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半导体工艺-晶圆清洗.doc
晶圆清洗摘要:介绍了半导体IC制程中存在的各种污染物类型及其对IC制程的影响和各种污染物的去除方法,并对湿法和干法清洗的特点及去除效果进行了分析比较。;c1{2u5g)Gx/f)`9d关键词:湿法清洗;RCA清洗;稀释化学法;IMEC清洗法;单晶片清洗;干法清洗.Q#t,~6g6f&j8P/?中图分类号:TN305.97文献标识码:B文章编号:1003-353X(2003)09-0044-0481前言半导体IC制程主要以20世纪50年代以后发明的四项基础工艺(离子注入、扩散、外延生长及光刻)为基础逐渐发展
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晶圆清洗摘要:介绍了半导体IC制程中存在的各种污染物类型及其对IC制程的影响和各种污染物的去除方法,并对湿法和干法清洗的特点及去除效果进行了分析比较。;c1{2u5g)Gx/f)`9d关键词:湿法清洗;RCA清洗;稀释化学法;IMEC清洗法;单晶片清洗;干法清洗.Q#t,~6g6f&j8P/?中图分类号:TN305.97文献标识码:B文章编号:1003-353X(2003)09-0044-0481前言半导体IC制程主要以20世纪50年代以后发明的四项基础工艺(离子注入、扩散、外延生长及光刻)为基础逐渐发展
一种半导体晶圆高效清洗工艺.pdf
本发明涉及一种半导体晶圆高效清洗工艺,先将待清洗的半导体晶圆码放在等离子清洗的清洗室内,对清洗室进行抽真空直至清洗室内的真空度达到设定值,然后充入工作气并将清洗室内的真空度保持在设定值;开启高频电源,对清洗室内的气体进行电离,对在清洗室内的半导体晶圆进行清洗;清洗完成后,关闭高频电源,向清洗室内充入保护气直至清洗室内的内气压达到常压后,将清洗完成后的半导体晶圆从清洗室内取出。所述半导体晶圆高效清洗工艺能够对光刻胶残污有效去除,去除效果好,去污速率高,去污的均匀性能得到保证。
半导体晶圆的清洗方法.pdf
本发明为一种半导体晶圆的清洗方法,该方法将半导体晶圆插入填充有氢氟酸的氢氟酸槽内而浸渍在所述氢氟酸中,且从所述氢氟酸槽拉出之后,将所述半导体晶圆插入填充有臭氧水的臭氧水槽内而浸渍在所述臭氧水中进行清洗,其特征在于,至少从所述半导体晶圆的下端接触于所述臭氧水开始至所述半导体晶圆完全浸渍于所述臭氧水为止,以插入速度20000mm/min以上进行所述半导体晶圆朝向所述臭氧水槽内的插入。由此,提供在将半导体晶圆浸渍于氢氟酸而清洗后浸渍于臭氧水进行清洗的方法中,能够防止微粒等异物的残留及已除去的异物的再附着的半导体
清洗装置及半导体晶圆清洗设备.pdf
本申请涉及半导体清洗技术领域,尤其是涉及一种清洗装置及半导体晶圆清洗设备。该清洗装置包括支撑架、兆声清洗组件和驱动装置;支撑架上设置有支撑臂,兆声清洗组件位于支撑臂上,驱动装置用于驱动兆声清洗组件沿支撑臂的长度方向往复运动;支撑臂的长度方向与待清洁物的表面之间成角度设置,兆声清洗组件的运动起点与待清洁物的表面之间的垂直距离小于兆声清洗组件的运动终点与待清洁物的表面之间的垂直距离。本申请的清洗装置解决了兆声清洁设备在越靠近晶圆边缘的地方能量密度越低,清洗不彻底;而在靠近晶圆中心的地方声波能量集中,严重时会导