CMOS模拟集成电路设计-复习题一.ppt
胜利****实阿
亲,该文档总共15页,到这已经超出免费预览范围,如果喜欢就直接下载吧~
相关资料
CMOS模拟集成电路设计-复习题一.ppt
CMOS模拟集成电路设计1.以N型MOSFET为例,画出相应的I-V特性曲线,即IDS与VDS,VGS的关系,并标出MOSFET的线性区和饱和区范围,给出各区域成立的条件2.画出一个典型P阱CMOS工艺反向器的垂直剖面示意图,要求器件的各个端口正确连接输入、输出、电源电位和地电位3.什么是MOSFET小信号跨导,给出饱和区MOSFET小信号跨导的三种表达形式4.什么是MOSFET的亚阈区,指出亚阈区的电流与栅源电压的关系1.解释什么是体效应?在初步分析MOSFET的时候我们假设衬底和源级是接到地的。而实际
CMOS模拟集成电路设计.pdf
CMOS模拟集成电路设计.pdf
CMOS模拟集成电路分析与设计.ppt
CMOS模拟集成电路分析与设计教材及参考书引言模拟电路与模拟集成电路半导体材料(衬底)有源器件特性现代主要集成电路工艺先进工艺下模拟集成电路的挑战课程主题学习目标第一讲本章主要内容1、有源器件1.1MOS管几何结构与工作原理(1)MOS管是一个四端口器件栅极(G):栅氧下的衬底区域为有效工作区(即MOS管的沟道)。源极(S)与漏极(D):在制作时是几何对称的。一般根据电荷的输入与输出来定义源区与漏区:源端被定义为输出电荷(若为NMOS器件则为电子)的端口;漏端则为收集电荷的端口。当该器件三端的电压发生改变
CMOS模拟集成电路分析与设计.pptx
会计学教材及参考书引言模拟电路与模拟集成电路半导体材料(衬底)有源器件特性现代主要集成电路工艺先进工艺下模拟集成电路的挑战课程主题学习目标第一讲本章主要内容1、有源器件1.1MOS管几何结构与工作原理(1)MOS管是一个四端口器件栅极(G):栅氧下的衬底区域为有效工作区(即MOS管的沟道)。源极(S)与漏极(D):在制作时是几何对称的。一般根据电荷的输入与输出来定义源区与漏区:源端被定义为输出电荷(若为NMOS器件则为电子)的端口;漏端则为收集电荷的端口。当该器件三端的电压发生改变时,源区与漏区就可能改变