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CMOS模拟集成电路设计1.以N型MOSFET为例,画出相应的I-V特性曲线,即IDS与VDS,VGS的关系,并标出MOSFET的线性区和饱和区范围,给出各区域成立的条件2.画出一个典型P阱CMOS工艺反向器的垂直剖面示意图,要求器件的各个端口正确连接输入、输出、电源电位和地电位3.什么是MOSFET小信号跨导,给出饱和区MOSFET小信号跨导的三种表达形式4.什么是MOSFET的亚阈区,指出亚阈区的电流与栅源电压的关系1.解释什么是体效应?在初步分析MOSFET的时候我们假设衬底和源级是接到地的。而实际上当VB<VS时,器件仍能正常工作,但是随着VSB的增加,阈值电压VTH会随之增加,这种体电位(相对于源)的变化影响阈值电压的效应称为体效应,也称为“背栅效应”4.图(a)是什么结构?图(b)忽略了沟道调制效应和体效应。如果体效应不能忽略,请画出Vin和Vout的关系曲线,并作出解释。5.图中MOS管的作用是什么?应该工作在什么工作区?即NMOS开关不能传递最高电位,仅对低电位是比较理想的开关2021/5/246.计算电路的小信号增益7.画出下图的小信号等效电路,推导Rin的表达式8.2021/5/24