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胜利****实阿
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ESDTrainingMaterial静电及静电的产生静电及静电的产生静电及静电的产生静电及静电的产生静电及静电的产生ESD(静电放射)及危害ESD(静电放射)及危害静电损害产品的两种方式预防静电放射的三种方法:泄漏–为静电提供释放通路如导线接地.屏蔽–提供具有屏蔽功能的环境.中和–提供相反极性的带电物体或离子.三种不同类型的防护包装:静电屏蔽材料–可防止静电释放穿透包装进入组件引起的损害.抗静电材料–可作为ESD敏感元件廉价的中转包装或暂存使用.它在使用中不产生电荷
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随着微电子工业制造技术的飞速发展集成电路的集成度不断提高采用0.15~0.25mm制造工艺的CMOS和GaAs(砷化镓)器件被广泛使用其耐击穿电压下限通常只有50V~100V。有着更高集成度的超高速、高频IC器件采用了特殊的制造工艺如薄膜技术、浅PN结、GaAs材料、微小封装等其对ESD、电浪涌、机械应力、热应力等更为敏感有的VMOS器件耐压只有30V。这就给含有上述静电敏感器件产品的生产制造过程提出了更严格的静电防护要求。A、静电现象一、何为静电?静电就是物体表面过剩或不足的相对静
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随着微电子工业制造技术的飞速发展,集成电路的集成度不断提高,采用0.15~0.25mm制造工艺的CMOS和GaAs(砷化镓)器件被广泛使用,其耐击穿电压下限通常只有50V~100V。有着更高集成度的超高速、高频IC器件,采用了特殊的制造工艺,如薄膜技术、浅PN结、GaAs材料、微小封装等,其对ESD、电浪涌、机械应力、热应力等更为敏感,有的VMOS器件耐压只有30V。这就给含有上述静电敏感器件产品的生产制造过程提出了更严格的静电防护要求。A、静电现象一、何为静电?静电就是物体表面过剩或不足的相对静止电荷,
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随着微电子工业制造技术的飞速发展,集成电路的集成度不断提高,采用0.15~0.25mm制造工艺的CMOS和GaAs(砷化镓)器件被广泛使用,其耐击穿电压下限通常只有50V~100V。有着更高集成度的超高速、高频IC器件,采用了特殊的制造工艺,如薄膜技术、浅PN结、GaAs材料、微小封装等,其对ESD、电浪涌、机械应力、热应力等更为敏感,有的VMOS器件耐压只有30V。这就给含有上述静电敏感器件产品的生产制造过程提出了更严格的静电防护要求。A、静电现象一、何为静电?静电就是物体表面过剩或不足的相对静止电荷,