MOCVD设备反应室的设计与分析.pdf

西安电子科技大学硕士学位论文MOCVD设备反应室的设计与分析姓名：董佳鑫申请学位级别：硕士专业：微电子与固体电子学指导教师：张进城20080101摘要年代已经成为砷化镓、磷化铟等半导体材料外延生长制备的核心技术。到目前为止从材料和器件性能及生产成本综合来看还没有其它方法能与之相比。因为谥票窯蓝光确矫婢哂泄惴旱挠τ们熬昂拖灾氖场需求。在产业化规模加大的同时也导致国际性相互之间严重的技术保密和封严重阻碍了研究的进展速度。从宓;锇氲继逖芯康南肿春头⒄骨魇看这种情况短时期内不会有大的改变。由于进口设备价格和维护费用非常昂贵璞福匦刖】焓迪旨际跬黄坪筒祷未解决的问题很多比如自主知识产权成本控制计算机模拟仿真等都与国际水平相差甚远。大多数研究机构由于种种原因甚至于完全没有能力自主制造本文即在此背景下对璞傅慕峁梗绕涫欠从κ疑杓朴敫慕饶谌进行了较深入的研究。主要研究结果如下：晒Φ夭斡肓薌晶体生长用低逞兄啤１救怂诳翁庾樵谖电第一代璞秆兄频幕∩暇钊胙芯浚岢龅诙鶰系统设计方案。并着重在第一代反应室设计的基础上进行完善与优化设计一个可满足片⒋缁さ姆从κ摇＝饩龅墓丶际跷侍庥校菏ɑ6沟纳杓啤三个石墨基座的同步加热、生长的准确测量与控制、反应室气流分布和石墨基座共同合作将璞阜从κ矣呕杓坪蟮奈露瘸『推辶鞒〗辛墨基座内的电磁场分布、感应焦耳热分布及反应室内气体流场压力图和流速图。从理论上证明了本设备设计具有明显的优点。关键词：金属有机物化学气相沉积;夭牧仙金属有机物化学气相淀积简称自世纪年代首次提出以来经过年代至年代的发展锁我国必须要进行该领域研究必须要有自己的核心工艺和核心设备尤其是我国现阶段璞秆兄粕写τ谄鸩浇锥危芏嗪诵募际醵疾怀墒臁Ｉ璞浮温度分布的设计。模拟分析。通过邢拊=７治龅姆椒ǎＤ獾玫組反应室和石．甒瑆．琩琣瓵瑃琺琧琫．瓼琺瑃．瑃．．．瓼．Ⅲ．．珹琈璞附峁股杓蒲芯甋瓸甌豫本人签名：董魅童取日期邋匠：厶万日期塑竺：豪糵日期坐壁：喝本学位论文属于保密在一年解密后适用本授权书。西安电子科技大学学位论文独创性虼葱滦声明关于论文使用授权的说明秉承学校严谨的学分和优良的科学道德本人声明所呈交的论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知除了文中特别加以标注和致谢中所罗列的内容以外论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果；也不包含为获得西安电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中做了明确的说明并表示了谢意。申请学位论文与资料若有不实之处本人承担一切的法律责任。本人完全了解西安电子科技大学有关保留和使用学位论文的规定即：研究生在校攻读学位期间论文工作的知识产权单位属西安电子科技大学。学校有权保留送交论文的复印件允许查阅和借阅论文；学校可以公布论文的全部或部分内容可以允许采用影印、缩印或其它复制手段保存论文。同时本人保证毕业后结合学位论文研究课题再攥写的文章一律署名单位为西安电子科技大学。Ｃ艿穆畚脑诮饷芎笞袷卮斯娑本人签名：导师签名：第一章绪论弟一早瑁了匕璞附樯频器件；击穿电场高ǎ痚比和要高一个数量级有利于制造高近年来氮化稼牧显嚼丛绞艿饺嗣堑墓刈ⅰ;是第三代半导体纯斫氲继的典型代表它具有很多优点：介电常数小是直接有利于骷诟呶孪鹿ぷ鳎坏缱颖ズ退俣雀痵屎现圃旄功率器件；化学稳定性强器件可以在腐蚀性环境下工作：抗辐射能力强可以别是蓝光和白光发光二极管制造方面得到广泛应用有望引发传统照明向半导体制造方面也具有极强的前景。由于牧系姆纸獾阍兜陀谄淙鄣悖虼舜车牡ゾし椒ㄔ贕单晶制备上很难采用因此目前可用的ゾР牧稀⒏髦諭族氮化物材料、异质量高可以直接用于