一种晶体硅太阳能电池片衰减箱.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102967816A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102967816A(43)申请公布日2013.03.13(21)申请号201210457019.X(22)申请日2012.11.14(71)申请人东方电气集团（宜兴）迈吉太阳能科技有限公司地址214203江苏省无锡市宜兴市经济开发区文庄路6号(72)发明人卢春晖黄仑王金伟史孟杰崔梅兰(74)专利代理机构南京天华专利代理有限责任公司32218代理人夏平(51)Int.Cl.G01R31/26(2006.01)权利要求书权利要求书1页1页说明书说明书22页页附图附图11页(54)发明名称一种晶体硅太阳能电池片衰减箱(57)摘要本发明公开一种晶体硅太阳能电池片衰减箱，其特征在于它包括铝制暗箱、卤素灯、定时器和电池片支架，铝制暗箱顶端开口，卤素灯置于铝制暗箱的顶端开口处，电池片支架置于铝制暗箱中央。本发明使用铝制暗箱，在恒温车间使用时使卤素灯在长时间照射暗箱内部的情况下仍能保持良好的散热效果，降低暗箱内过热坏境对电池片造成的物理化学影响。另外使用定时装置能够准确完成衰减规定时间，避免人工监测电池片衰减工作的时间误差。CN1029678ACN102967816A权利要求书1/1页1.一种晶体硅太阳能电池片衰减箱，其特征在于它包括铝制暗箱(1)、卤素灯(2)、定时器(3)和电池片支架(4)，铝制暗箱(1)顶端开口，卤素灯(2)置于铝制暗箱(1)的顶端开口处，电池片支架(4)置于铝制暗箱(1)中央。2.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池片衰减箱，其特征在于所述卤素灯(2)的光照强度为950~1050W/m2。3.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池片衰减箱，其特征在于所述卤素灯(2)与定时器(3)通过电源线连接。2CN102967816A说明书1/2页一种晶体硅太阳能电池片衰减箱技术领域[0001]本发明涉及一种晶体硅电池的衰减设备，具体涉及一种晶体硅太阳能电池片衰减箱。背景技术[0002]P型掺杂硼晶体硅太阳能电池的早期光致衰减现象早在40多年前就被发现。其主要原因是由于掺硼单晶硅在光照条件下硼氧复合体的生成，引起少子寿命的下降，最终导致太阳电池和组件功率的下降。此外，任何类型的电池片生产中的材料、工艺均会造成电池片性能不同程度的衰减。据研究发现，一般电池片在AM1.5标准条件下进行24小时的衰减后将不再有明显衰减现象，电池片性能趋于稳定，但该效应严重影响了光伏产业链各企业的产品质量保证以及经济效益，为此，需要在产品性能检测方面加强测试力度及检测方案。发明内容[0003]本发明的目的针对上述问题而提出一种晶体硅太阳能电池片衰减箱。[0004]本发明的目的可以通过以下技术方案实现：[0005]一种晶体硅太阳能电池片衰减箱，其特征在于它包括铝制暗箱、卤素灯、定时器和电池片支架，铝制暗箱顶端开口，卤素灯置于铝制暗箱的顶端开口处，电池片支架置于铝制暗箱中央。[0006]所述卤素灯的光照强度为950~1050W/m2。[0007]所述卤素灯与定时器通过电源线连接。[0008]该晶体硅太阳能电池片衰减箱使用方法为：需做衰减的电池片在光伏电池电性能测试仪器测试后记录数据，完成后打开卤素灯等待其光强趋于稳定，放入已测试过初始电性能的电池片，密封铝制暗箱，启动定时器，定时时间24小时，完成后自动断开电源，完成衰减过程。再使用光伏电池电性能测试仪器测量衰减后的电池片的电性能，前后数据的差值即电池片的衰减值。[0009]本发明的有益效果：本发明使用铝制暗箱，在恒温车间使用时使卤素灯在长时间照射暗箱内部的情况下仍能保持良好的散热效果，降低暗箱内过热坏境对电池片造成的物理化学影响。另外使用定时装置能够准确完成衰减规定时间，避免人工监测电池片衰减工作的时间误差。附图说明[0010]图1为本发明结构示意图。[0011]图中：1、铝制暗箱，2、卤素灯、3、定时器、4、电池片支架。具体实施方式[0012]下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步描述。3CN102967816A说明书2/2页[0013]如图1所示。一种晶体硅太阳能电池片衰减箱，其特征在于它包括铝制暗箱1、卤素灯2、定时器3和电池片支架4，铝制暗箱1顶端开口，卤素灯2置于铝制暗箱1的顶端开口处，电池片支架4置于铝制暗箱1中央。所述卤素灯2的光照强度为950~1050W/m2。所述卤素灯2与定时器3通过电源线连接。[0014]该晶体硅太阳能电池片衰减箱对电池片衰减的使用方法为：需做衰减的电池片在光伏电池电性能测试仪器测试后记录数据，完成后打开卤素灯2等待其光强趋于稳定，放入已测试过初始电性能的电池片于暗箱内支架4上，密封铝制暗箱1，启动定时器3，定时时间24小时，完成后自动断开电源，完成衰减过程